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公开(公告)号：CN113549994A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110829948.8
申请日：2021-07-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于直拉硅单晶的掺杂装置及方法，属于直拉法生产单晶硅设备技术领域，包括石英内胆、石英钟罩和石英杯，在石英钟罩内设置石英内胆，石英杯内置于石英内胆，在内胆本体的上端从上而下依次盖合有第一石英盖、第二石英盖，第一石英盖与第二石英盖之间形成排气腔，第二石英盖上设置有第一通气孔，第一通气孔上垂直安装有调压管，排气片盖合在第一通气孔上，在内胆本体的环壁上设有第二通气孔，第二通气孔位于所述第一石英盖与第二石英盖之间，在掺杂过程中，通过排气片、调压管及通气孔可调节石英内胆内的压力，避免冒泡现象的产生，减少掺杂剂的挥发，使得气化掺杂剂充分融入硅熔液中进行掺杂，提高掺杂率，减少炉内污染。
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公开(公告)号：CN116732602A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310926832.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高晶棒轻、重掺杂效率的方法，涉及晶棒掺杂方法技术领域，在化料结束后，打开单晶炉副炉室，将掺杂剂装入容纳筒体中，所述防挥发盖体盖合在所述筒体的开口上，通过挂接组件挂在单晶炉重锤上，关闭副炉室，对副炉室进行净化，净化后打开隔离阀，将炉压稳定；下降晶升，当容纳筒体的下沿距硅溶液液面预定距离后停止下降，进行掺杂，使得掺杂剂升华或液化直接通过挥发孔进入硅溶液中，防止被炉内的气流抽走，进而掺杂效率提高，拉制成晶棒后的电阻率降低。
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公开(公告)号：CN115323489A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211011811.2
申请日：2022-08-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置，涉及重掺硅单晶生产技术技术领域，包括石英钟罩，石英钟罩包括内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩，中层钟罩为数个，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的高度依次降低，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩同轴，所述内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的底壁位于同一水平面，中层钟罩套设在所述内层钟罩外，所述外层钟罩套设所述中层钟罩外，内层钟罩的底环壁均匀设置数个第一导向孔，中层钟罩的底环壁均匀设置数个第二导向孔；在受到硅溶液1000℃以上高温热场及真空的影响，通过多层的适应钟罩以及第一导向孔、第二导向孔的设置，以增加砷气体或磷气体挥发行走的路径，延长掺杂时间。
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公开(公告)号：CN113549994B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110829948.8
申请日：2021-07-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于直拉硅单晶的掺杂装置及方法，属于直拉法生产单晶硅设备技术领域，包括石英内胆、石英钟罩和石英杯，在石英钟罩内设置石英内胆，石英杯内置于石英内胆，在内胆本体的上端从上而下依次盖合有第一石英盖、第二石英盖，第一石英盖与第二石英盖之间形成排气腔，第二石英盖上设置有第一通气孔，第一通气孔上垂直安装有调压管，排气片盖合在第一通气孔上，在内胆本体的环壁上设有第二通气孔，第二通气孔位于所述第一石英盖与第二石英盖之间，在掺杂过程中，通过排气片、调压管及通气孔可调节石英内胆内的压力，避免冒泡现象的产生，减少掺杂剂的挥发，使得气化掺杂剂充分融入硅熔液中进行掺杂，提高掺杂率，减少炉内污染。
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