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公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN119260958A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411654776.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种区分晶棒原生缺陷区域的样片制备方法，涉及硅片缺陷检测技术领域，通过先将晶棒按长度进行截断得到端面为直径的第一晶锭，再将端面为直径的第一晶锭沿长度方向进行纵向切割得到矩形块，以为得到长度方向的圆形样片做准备，然后再在矩形块上进行套圆，得到端面为晶棒不同长度段的第二晶锭；将端面为晶棒不同长度段的第二晶锭进行切片，得到圆形样片；将圆形样片进行后处理得到待检测样片，得到的待检测样片为晶棒不同长度段方向的圆片，能够对晶棒长度方向不同区域的情况进行检测，了解完美单晶区域的大小、原生缺陷区域的位置，以根据检测结果调整拉晶的工艺或热场的结构，改善相应的缺陷。
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公开(公告)号：CN118952487A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411353484.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善8英寸硅片切割翘曲的方法，涉及多线切割方法技术领域，在多切割切割过程中，根据晶锭头部、中部、尾部的位置对应设置不同的砂浆流量，且根据晶锭的切割深度，分别调整晶锭头部、中部、尾部的砂浆流量，以对晶锭不同切割区域的砂浆流量进行精确控制，使得晶锭切割过程中，不同位置的散热能力相同，硅片受热相同，不再产生温度差异，进而晶锭切片后warp分布不会出现头高尾低的情况，使得晶锭头、中、尾部的硅片warp分布均匀。
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公开(公告)号：CN118874966A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410911335.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种NTC切片机砂浆管道清理机器人，包括主体、行走机构、调节机构、清扫机构；行走机构均布铰接在主体外壁的四周；调节机构均布设于主体的外壁，调节机构的数量与行走机构的数量一致，每个调节机构对应的相接于每个行走机构，每个调节机构能够单独控制每个行走机构紧贴管道的内壁；清扫机构设于主体的端部，清扫机构可相对管道转动。本发明通过每个调节机构单独控制每个行走机构相互之间能够独立的支撑紧贴在管道内壁，从而能够使行走机构在管道内壁中获得较大的摩擦力，可随管道内的状况收紧或伸张，保证行进的稳定；而清扫机构通过主体内部设置的动力机构的驱动可相对管道转动，再配合行走机构在管道内部往复移动，以实现对管道内壁的清洁。
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公开(公告)号：CN118849227A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410893810.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种短晶棒粘接工装，包括支撑座、夹持机构、长度补偿部、以及辅助定位机构；支撑座顶部的两侧设有沿支撑座长度方向均布且呈倒V字形布设的支撑轮；辅助定位机构包括横梁、限位管、定位块；横梁的一端固定设有限位板，使横梁与限位板构成L形结构，限位管的一端封闭，定位块滑动设于横梁上且抵靠在限位管远离限位板的一侧；长度补偿部内置在限位管中，并且长度补偿部的一端伸出限位管；夹持机构安装在支撑座上，夹持机构可将限位管、以及短晶棒同步向中间挤压，以使限位管中的长度补偿部能够与短晶棒共轴粘接。还提供了一种短晶棒粘接方法。本发明在前先在晶棒尾部贴合一段同直径可收缩的工装，来增加晶棒的长度，从而满足粘接需求及面方位规格。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118207629A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410538090.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
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公开(公告)号：CN119159696A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411501048.0
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善硅片切割形貌的方法，涉及多线切割方法技术领域，在切割晶锭的过程中，缩短钢线单个往复运动周期，且根据晶锭的切割深度更换砂浆液，使钢线切割能力稳定，缩短钢线在硅片表面的停留时间，降低线痕深度，缩短线痕间距，使得硅片表面各个位置处厚度差值减小，翘曲越小，增强硅片表面平坦度，使得硅片切割形貌相对平坦。
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公开(公告)号：CN118849230A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410856180.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法，涉及硅片切割方法技术领域，在多线切割中，通过控制钢线张力，保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致，以平衡钢线屈服强度与破断张力，使得砂浆在钢线上的附着不受影响，进而硅片加工时入刀口及出刀口的形貌平坦，warp值降低。
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公开(公告)号：CN115816675A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211561377.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体晶棒硅片切割方法，涉及硅片切割工艺技术领域，利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片翘曲率降低，本发明通过利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片加工过程中产生的振动降低，并且硅片加工过程中的升温、降温缓慢，硅片的温度始终保持稳定的状态，进而硅片翘曲率降低。
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公开(公告)号：CN118952488A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411380914.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低多线切割机金刚线断线率的方法，涉及多线切割机的技术领域，在切割前，在待切割晶锭的底部粘接导向件，通过预定金刚线速度曲线进行晶锭切割；在切割时，金刚线先按照预定位置进入导向件内，防止金刚线因受阻力大发生滑移，一方面防止金刚线入刀位置产生偏差导致硅片入刀翘曲，另一方面通过导向条降低金刚线的振动，使得金刚线从导向条进入晶锭时相对位置被固定，金刚线与晶锭进行点点接触，减少接触面积，避免产生线弓，进而金刚线张力变化小，金刚线断线率降低。
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