公开(公告)号：CN119465380A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411655092.7

申请日：2024-11-19

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 李小红 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  伊冉 ,  马吟霜 ,  魏兴彤 ,  万佳乐 ,  马成

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明提供一种通过磁场控制小尺寸晶棒氧含量的方法，涉及单晶氧含量控制方法技术领域，在热场结构、拉晶参数相同的情况下，随着MCZ磁场强度降低，晶棒氧含量降低，MCZ磁场强度每降低500GS，晶棒氧含量降低1.5ppma~2.5ppma，以根据需求晶棒氧含量，施加不同的MCZ磁场强度，进行晶棒拉制，得到符合客户要求的氧含量晶棒。

公开(公告)号：CN119736706A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411987147.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 芮阳 ,  王忠保 ,  王黎光 ,  魏兴彤 ,  伊冉 ,  万佳乐 ,  马吟霜 ,  李小红

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02

Abstract: 本发明提供一种控制重掺单晶电阻率下降幅度的方法，涉及重掺拉晶技术领域，拉晶过程中，在固化率之后，通过拉速、压力、氩气共同调节，以拉制电阻率位于低电阻以下时，要求电阻率下降幅度≤0.4mΩ的晶棒；其中：拉速保持不变，单位压力变化幅度在5Kpa/100mm‑30Kpa/100mm，单位氩气变化幅度在10slm/100mm‑40slm/100mm之间，由于目前工艺无法直接得到头部电阻为低电阻故通过在一定固化率后，当晶棒电阻率达到低电阻时，通过拉速、压力、氩气共同调节，使得合格率提高，同时稳定性得到提升，标准差降低（N=10）。