公开(公告)号：CN105374856A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510491053.2

申请日：2015-08-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·法尔克 ,  K·布赫霍尔茨 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策 ,  G·施密特 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0603

Abstract: 本发明提供具有屏蔽结构的半导体器件。一种半导体器件具有包括相对的底侧和顶侧的半导体本体、围绕半导体本体的表面、形成在半导体本体中的有源半导体区域、围绕有源半导体区域的边缘区域、形成在边缘区域中的第一导电类型的第一半导体区、形成在顶侧处的边缘区域中的边缘终端结构以及布置在边缘终端结构背离底侧的那侧上的屏蔽结构。屏蔽结构具有N1≥2个第一段和N2≥1个第二段。第一段中的每个电连接至其他第一段中的每个以及第二段中的每个，并且第二段中的每个具有比第一段中的每个的电阻率高的电阻率。

公开(公告)号：CN104835711A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510070660.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布雷梅瑟 ,  S·福斯 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/12 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/30483 ,  H01L21/265 ,  H01L21/68764 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861

Abstract: 一种离子注入装置包括离子束导向单元、衬底支撑和控制器。该控制器被配置为在经过离子束导向单元的离子束和衬底支撑之间产生相对运动。离子束在衬底上的束轨迹包括圆或螺旋，衬底被装配在衬底支撑上。

公开(公告)号：CN104518016A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410508511.4

申请日：2014-09-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)装置。该IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极型晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极型晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层至少包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载流子寿命、不同的导电性类型或不同的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN104465537A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410469490.X

申请日：2014-09-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  M·普法芬莱纳 ,  M·施密特

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31155 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/32 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述一种半导体元件和用于制造半导体元件的方法。该半导体元件包括：半导体主体(100)，其具有内部区域(110)和边缘区域(120)；钝化层(20)，其至少设置在半导体主体(100)的与所述边缘区域邻接的表面(101)上，该钝化层具有半导体氧化物并且具有带有晶体缺陷的缺陷区域，所述晶体缺陷用作用于杂质的吸气中心。

公开(公告)号：CN104218087A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410239744.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·康拉斯 ,  H-J·舒尔策 ,  R·拉普 ,  W·维尔纳 ,  F·普菲尔施

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66909 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/872

Abstract: 提供具有半导体主体的场效应半导体器件，该半导体主体具有主表面。该半导体主体在与该主表面基本正交的垂直截面中包括：第一导电类型的漂移层；所述第一导电类型的半导体台面，与所述漂移层邻接、基本延伸到所述主表面并且具有两个侧壁；以及第二导电类型的两个第二半导体区域，布置在所述半导体台面附近。两个第二半导体区域中的每一个至少与所述漂移层形成pn结。至少在台面的两个侧壁之一处形成整流结。此外，提供用于制作异质结半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104103598A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410146227.7

申请日：2014-04-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  J·鲍姆加特尔 ,  G·拉克纳 ,  A·毛德 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括器件载体以及附接至器件载体的半导体芯片。此外，半导体器件包括具有凹陷的盖体。盖体包括半导体材料并且附接至器件载体以使得半导体芯片容纳在凹陷中。

公开(公告)号：CN103715072A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310692651.7

申请日：2013-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·伊尔西格勒 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/223 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明涉及用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件。提供了一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括：提供包括主表面和硅层的晶片，该硅层布置在主表面处且具有至少大约3*1014cm-3的氮浓度；以及部分地向外扩散氮，以降低氮至少接近主表面的氮浓度。另外，提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN102122945A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010602675.5

申请日：2010-11-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·布赫贝格尔 ,  H-J·舒尔策

IPC: H03K17/72

CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/747 ,  H01L31/1113

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括第一器件(100)，第二器件(200)；在其中横向彼此相邻地实施第一器件(100)和第二器件(200)的衬底(300)；以及复合区域(400)。所述复合区域(400)实施于第一器件(100)和第二器件(200)之间的衬底(300)中，从而在第一器件(100)和第二器件(200)之间扩散的电荷载流子复合。

公开(公告)号：CN110896063B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201911274738.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

公开(公告)号：CN113517330A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110382152.2

申请日：2021-04-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  C·耶格 ,  M·耶利内克 ,  D·施勒格尔 ,  B·施托伊布

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: 提出了一种垂直功率半导体器件（100）。该垂直功率半导体器件（100）包括半导体本体（102），其具有第一主表面（104）和沿着垂直方向（y）与第一主表面（104）相对的第二主表面（106）。垂直功率半导体器件（100）还包括半导体本体（102）中的漂移区（108）。漂移区（108）包括铂原子（109）。垂直功率半导体器件（100）还包括漂移区（108）与第二主表面（106）之间的半导体本体（102）中的场停止区（110）。场停止区（110）包括多个杂质峰（P1、P2）。多个杂质峰（P1、P2）中的第一杂质峰（P1）具有比多个杂质峰（P1、P2）中的第二杂质峰（P2）更大的浓度（c）。第一杂质峰（P1）包括氢，而第二杂质峰（P2）包括氦。