公开(公告)号：CN105580113A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053404.5

申请日：2014-09-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种用于处理衬底的系统包含：等离子体腔室，用于在其中产生等离子体。所述系统还包含：处理腔室，用于容纳所述衬底，其中所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室。所述系统还包含：可旋转引出电极，设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间，其中所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束，且还经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描，而不需要所述衬底的移动。

公开(公告)号：CN105531896A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480048620.0

申请日：2014-08-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 皮尔·R·卢比克 ,  卡森·泰克雷特萨迪克

IPC: H02H9/02

CPC classification number: H02H9/025 ,  H02H1/06 ,  H02H9/04

Abstract: 揭示一种用于提供隔离电源给用于固态开关装置中的栅极驱动电路的系统和方法。并非使用昂贵的隔离AC/DC电源供应器，而是使用隔离变压器来提供隔离AC电压。在一个实施例中，隔离变压器的初级绕组跨越独立AC源而设置。在另一实施例中，隔离变压器的初级绕组跨越AC电源线的两个相位而设置。隔离AC电压接着跨越隔离变压器的次级绕组而产生。此隔离AC电压接着由非隔离DC电源供应器使用，所述非隔离DC电源供应器产生用于栅极驱动电路的电源。

公开(公告)号：CN105474357A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045728.4

申请日：2014-06-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·布雷克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C14/22 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32477 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/0475 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/1207 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。一种在这些基板处理系统上执行预防性保养的方法也被提出。

公开(公告)号：CN105378896A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。

公开(公告)号：CN102017178B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200980114977.3

申请日：2009-03-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  法兰克·辛克莱

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02 ,  C30B15/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06

Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。

公开(公告)号：CN103155090B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180047008.8

申请日：2011-09-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  派崔克·M·马汀 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/31796 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266

Abstract: 一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。

公开(公告)号：CN105074900A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480013989.8

申请日：2014-03-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 保罗·E·佩敢堵 ,  保罗·福德哈斯

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: B25J15/0014 ,  B25J9/0012 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766

Abstract: 一种终端效应器包含基底、从所述基底延伸的多个指状物，以及设置在所述指状物中的每一个上以支撑基板的多个垫。所述指状物包括碳纤维材料且从靠近所述基底的第一直径和第一壁厚度渐细为远离所述基底的比所述第一直径小的第二直径以及比所述第一壁厚度小的第二壁厚度。一种方法包含沿着多个渐细指状物粘附多个垫，以及将所述多个渐细指状物的近端与基底的对应凹部粘附在一起。将所述经组装的垫、渐细指状物和基底放置在固定件上，使得所述多个垫的顶部表面搁置在所述固定件的顶部表面上，且将所述组合件固持在所述固定件上的适当位置，直到所述粘合剂己在室温下固化为止。

公开(公告)号：CN102439683B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080020420.6

申请日：2010-04-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  提摩太·J·米勒

IPC: H05H1/24 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0456 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/31701 ,  Y10S438/961

Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。

公开(公告)号：CN104885185A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380063410.4

申请日：2013-10-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01J27/04 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3171

Abstract: 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。

公开(公告)号：CN102844840B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180015641.9

申请日：2011-02-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。