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    紧固系统及引出板总成
    2.
    发明授权
    紧固系统及引出板总成 有权

    公开(公告)号：CN112135977B

    公开(公告)日：2022-08-16

    申请号：CN201980033168.3

    申请日：2019-04-29

    Applicant: 瓦里安半导体设备公司

    Inventor： 丹尼尔·麦吉利卡迪 ,  詹姆士·P·布诺德诺

    IPC: F16B5/06 ,  F16B5/00 ,  F16B2/06

    Abstract: 本发明公开一种使用弹簧力来附接两个组件的紧固系统。具体而言，公开一种紧固系统及引出板总成。紧固系统利用O形环来提供弹簧力，因而不需要任何金属组件。O形环可设置在具有多个辐条的O形环保持器中。当受压缩时，辐条会对O形环形成压迫。辐条的数目以及其大小及形状决定紧固系统的弹簧力。在另一实施例中，利用垂直定向的O形环。紧固系统可用于紧固离子源的各种组件。

    动态电极等离子体系统
    3.
    发明公开
    动态电极等离子体系统 有权

    公开(公告)号：CN105580113A

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201480053404.5

    申请日：2014-09-05

    Applicant: 瓦里安半导体设备公司

    Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺

    IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

    Abstract: 一种用于处理衬底的系统包含：等离子体腔室，用于在其中产生等离子体。所述系统还包含：处理腔室，用于容纳所述衬底，其中所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室。所述系统还包含：可旋转引出电极，设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间，其中所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束，且还经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描，而不需要所述衬底的移动。

    使用O形环施加保持力的系统
    4.
    发明公开
    使用O形环施加保持力的系统 有权

    公开(公告)号：CN112135977A

    公开(公告)日：2020-12-25

    申请号：CN201980033168.3

    申请日：2019-04-29

    Applicant: 瓦里安半导体设备公司

    Inventor： 丹尼尔·麦吉利卡迪 ,  詹姆士·P·布诺德诺

    IPC: F16B5/06 ,  F16B5/00 ,  F16B2/06

    Abstract: 本发明公开一种使用弹簧力来附接两个组件的紧固系统。紧固系统利用O形环来提供弹簧力，因而不需要任何金属组件。O形环可设置在具有多个辐条的O形环保持器中。当受压缩时，辐条会对O形环形成压迫。辐条的数目以及其大小及形状决定紧固系统的弹簧力。在另一实施例中，利用垂直定向的O形环。紧固系统可用于紧固离子源的各种组件。

    在电极中利用离子源降低热变形的装置以及方法
    5.
    发明公开
    在电极中利用离子源降低热变形的装置以及方法 有权

    公开(公告)号：CN110268505A

    公开(公告)日：2019-09-20

    申请号：CN201780084679.9

    申请日：2017-11-16

    Applicant: 瓦里安半导体设备公司

    Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺

    IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

    Abstract: 本发明公开一种用于改良离子束的均匀度的装置。装置包含加热位于离抑制孔口最远处的抑制电极的边缘的加热元件。在操作中，最接近抑制电极的抑制电极的边缘可通过离子束加热。这一加热可导致抑制电极变形，从而影响离子束的均匀度。通过加热抑制电极的远端边缘，可控制抑制电极的热变形。在其它实施例中，加热抑制电极的远端边缘以产生更均匀的离子束。通过监测抑制电极下游处的离子束的均匀度，如通过使用射束均匀度测绘仪，控制器可调节施加到远端边缘的热量以实现期望的离子束均匀度。

    用于控制抑制电极的热变形及控制离子束的均匀度的装置
    7.
    发明授权
    用于控制抑制电极的热变形及控制离子束的均匀度的装置 有权

    公开(公告)号：CN110268505B

    公开(公告)日：2022-12-06

    申请号：CN201780084679.9

    申请日：2017-11-16

    Applicant: 瓦里安半导体设备公司

    Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺

    IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

    Abstract: 本发明公开一种用于控制抑制电极的热变形及一种用于控制离子束的均匀度的装置。装置包含加热位于离抑制孔口最远处的抑制电极的边缘的加热元件。在操作中，最接近抑制电极的抑制电极的边缘可通过离子束加热。这一加热可导致抑制电极变形，从而影响离子束的均匀度。通过加热抑制电极的远端边缘，可控制抑制电极的热变形。在其它实施例中，加热抑制电极的远端边缘以产生更均匀的离子束。通过监测抑制电极下游处的离子束的均匀度，如通过使用射束均匀度测绘仪，控制器可调节施加到远端边缘的热量以实现期望的离子束均匀度。

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