公开(公告)号：CN107978576A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201610919948.6

申请日：2016-10-21

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 饶开运 ,  冯志成 ,  贺碧华 ,  N·K·O·卡兰达 ,  陈兰珠 ,  臧园

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

摘要： 用于半导体器件的“通用”衬底，由非导电衬底材料形成。在衬底材料中形成均匀的导电柱阵列。柱从衬底的上表面延伸到衬底的下表面。管芯安装盘可以形成在衬底材料的上表面上。在管芯安装盘下面的柱通过导线连接到管芯安装盘的周边之外的柱。电源和接地环可以通过连接包围管芯安装盘的柱形成。

公开(公告)号：CN105023904B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201510319602.8

申请日：2013-04-26

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 曾根纪久 ,  山田和也 ,  竹井彰启 ,  吉田裕一 ,  武政宪吾

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H03B5/04

CPC分类号： H01L23/49596 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种使生产效率提高并且使集成电路和引线框的连接变得容易的半导体装置以及测量设备。该半导体装置具有：振荡器，在一个面上具备沿着第一方向隔开规定距离配置的多个外部端子；集成电路，具备沿着矩形的面上的一边形成有多个第一电极焊盘的第一区域和夹着所述第一区域形成有多个第二电极焊盘的第二区域；以及引线框，以所述外部端子和所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成电路的一边大致平行的方式装载所述振荡器和所述集成电路，并且，在周围具备端子。

公开(公告)号：CN103378803B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310150076.8

申请日：2013-04-26

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 曾根纪久 ,  山田和也 ,  竹井彰启 ,  吉田裕一 ,  武政宪吾

IPC分类号： H03B5/04

CPC分类号： H01L23/49596 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种使生产效率提高并且使集成电路和引线框的连接变得容易的半导体装置以及测量设备。该半导体装置具有：振荡器，在一个面上具备沿着第一方向隔开规定距离配置的多个外部端子；集成电路，具备沿着矩形的面上的一边形成有多个第一电极焊盘的第一区域和夹着所述第一区域形成有多个第二电极焊盘的第二区域；以及引线框，以所述外部端子和所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成电路的一边大致平行的方式装载所述振荡器和所述集成电路，并且，在周围具备端子。

公开(公告)号：CN103703566B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201280038386.4

申请日：2012-07-30

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L27/0716 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H02P27/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的半导体装置包括半导体芯片和MOSFET，该半导体芯片形成有SiC‑IGBT，该SiC‑IGBT包括：SiC半导体层；以在所述SiC半导体层的背面侧露出的方式形成的第一导电型的集电极区域；以与所述集电极区域相接的方式形成的第二导电型的基底区域；以与所述基底区域相接的方式形成的第一导电型的沟道区域；以与所述沟道区域相接的方式形成、并且形成所述SiC半导体层的所述表面的一部分的第二导电型的发射极区域；与所述集电极区域连接的集电极电极；该MOSFET包括与所述发射极电极电连接的第二导电型的源极区域以及与所述集电极电极电连接的第二导电型的漏极区域，并且与所述SiC‑IGBT并联连接。

公开(公告)号：CN104078374B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410308014.X

申请日：2014-06-30

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 缪小勇 ,  石海忠 ,  陆蓉 ,  郇林香 ,  张希娟

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455

摘要： 本发明提供一种半导体器件的导线焊接点强化方法，在框架内引线的表面的焊接区焊接导线；在所述框架内引线与所述导线的焊接点处跨接压固件，使压固件的中部向框架内引线的一侧紧压导线，并将压固件位于导线两侧的部分与框架内引线进行焊接固定。通过在导线的焊接点处设置压固件，来将导线向框架内引线的一侧压紧。采用此结构改善了框架内引线正面跟包封塑封料之间的界面结合，在分层向导线焊接点延伸过程中，只有压固件的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线的焊接点延伸，故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。

公开(公告)号：CN105408998A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480038198.0

申请日：2014-07-02

申请人： 罗森伯格高频技术有限及两合公司

发明人： S·S·卡希尔 ,  E·A·圣胡安

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/46 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/50 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及一种引线，其具有金属芯(202)、电介质层(200,204)和可接地的金属(206)，其中，所述引线还具有一个或多个防潮涂层。此外，本发明涉及具有根据本发明的至少一个引线的裸片封装体。

公开(公告)号：CN102364358B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110158347.5

申请日：2011-06-07

申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司

发明人： 姚雨峰 ,  欧池本 ,  兰尼·萨拉万南

IPC分类号： G01V8/12 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L25/167 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03K17/941 ,  H03K2017/9455 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及小、薄型的光学近距离传感器。在一个实施例中，本发明提供了一种近距离传感器封装，包括发射器管芯、接收器管芯、ASIC管芯、引线框、接合导线、第一透明密封件、第二透明密封件和不透明密封件。发射器管芯、接收器管芯和ASIC管芯安装至引线框的一些部分。接合导线将发射器管芯、接收器管芯、ASIC管芯和引线框电连接。第一透明密封件覆盖接收器管芯、ASIC管芯、接合导线、以及引线框的一部分。第二透明密封件覆盖发射器管芯、接合导线、以及所述引线框的一部分。不透明密封件覆盖第一和第二透明密封件的一部分以及引线框的一部分。

公开(公告)号：CN105097752A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410790717.0

申请日：2014-12-18

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 刘兴治 ,  杨家豪 ,  陈盈志

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48138 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4909 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

摘要： 本发明提供一种半导体封装结构，包含基底；第一裸芯片，安装在基底，包含布置于第一排的具有第一焊盘面积的多个第一焊盘；以及布置于第二排的具有第二焊盘面积的多个第二焊盘；以及第二裸芯片，安装于基底，包含具有第一焊盘面积的多个第三焊盘，以及具有第二焊盘面积的多个第四焊盘，交替布置于第三排；第一接合导线，具有两个端，分别耦合到第一焊盘的一个和第四焊盘的一个；以及第二接合导线，具有两个端，分别耦合到第三焊盘的一个和第二焊盘的一个。通过上述技术方案，可以减少焊盘间距和焊盘占据面积从而有效地减少芯片大小。

公开(公告)号：CN105023904A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510319602.8

申请日：2013-04-26

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 曾根纪久 ,  山田和也 ,  竹井彰启 ,  吉田裕一 ,  武政宪吾

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H03B5/04

CPC分类号： H01L23/49596 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种使生产效率提高并且使集成电路和引线框的连接变得容易的半导体装置以及测量设备。该半导体装置具有：振荡器，在一个面上具备沿着第一方向隔开规定距离配置的多个外部端子；集成电路，具备沿着矩形的面上的一边形成有多个第一电极焊盘的第一区域和夹着所述第一区域形成有多个第二电极焊盘的第二区域；以及引线框，以所述外部端子和所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成电路的一边大致平行的方式装载所述振荡器和所述集成电路，并且，在周围具备端子。

公开(公告)号：CN104779946A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510015478.6

申请日：2015-01-12

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： J·D·威尔德 ,  D·D·洛帕塔 ,  张伟

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/7817 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05559

摘要： 本发明提供具有基本上镜像对称的端子的半导体器件和形成该半导体器件的方法。在一个实施方式中，半导体器件包括具有控制节点和开关节点的半导体开关，开关节点耦合至半导体器件的第一和第二输出端子，第一和第二输出端子以基本上镜像对称的布置定位在半导体器件上。半导体器件还包括具有第一和第二输入节点以及输出节点的控制元件，第一和第二输入节点分别耦合至半导体器件的第一和第二输入端子，并且输出节点耦合至半导体开关的控制节点，第一和第二输入端子在半导体器件上基本上居中。