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公开(公告)号：CN110838499B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN114388539A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110409110.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。
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公开(公告)号：CN110556389B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109712960B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810662285.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L21/768 , H01L23/64
Abstract: 本公开实施例涉及具有电感器的集成电路，电感器具有一或多个线圈沿着垂直面排列，垂直面与下方基板相交。在一些实施例中，集成电路包含多个导电布线层，其具有导线和导通孔设置于与第一基板邻接的一或多个介电结构中。这些导电布线层定义出具有一或多个线圈的电感器，这些线圈各自包含垂直延伸区段沿着与第一基板相交的平面排列，垂直延伸区段具有多个上述导线和导通孔。
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公开(公告)号：CN112820744A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010519137.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817649B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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公开(公告)号：CN112151675A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010597523.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 一些实施例涉及包括具有正面和背面的半导体衬底的半导体结构。互连结构设置在正面上方。互连结构包括可操作地将设置在半导体衬底的正面中或上的半导体晶体管器件彼此耦接的多个金属线和通孔。沟槽设置在半导体衬底的背面中。沟槽填充有内部电容器电极、位于内部电容器电极上面的电容器介电层和位于电容器介电层上面的外部电容器电极。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110838499A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110556389A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106960834B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201611126433.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/762
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。
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