公开(公告)号：CN101842508B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880113563.4

申请日：2008-08-28

申请人： 安赛乐米塔尔不锈钢及镍合金公司 ,  综合工科学校

发明人： J-P·雷雅尔 ,  P-L·雷代 ,  P·罗加卡瓦鲁卡斯 ,  Y·杰里达内

IPC分类号： C22C38/08 ,  C23C30/00

CPC分类号： C23C16/24 ,  C22C38/08 ,  C23C16/0254 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明涉及一种晶体织构化的金属衬底(1)，其包括连接表面(2)和用于接收薄层沉积物的表面(3)，所述晶体织构化的金属衬底由呈现具有面心的立方晶系和大多数的立方晶体结构{100}的合金构成，所述用于接收薄层沉积物的表面(3)包括晶粒(4)，所述晶粒(4)具有平行于所述用于接收薄层沉积物的表面(3)的大多数晶面{100}。根据本发明，所述合金为铁-镍合金，其具有以相对于所述合金的总重量的重量％表示的以下成分：Ni≥30％，Cu＜15％，Cr≤15％，Co≤12％，Mn≤5％，S＜0.0007％，P＜0.003％，B＜0.0005％，Pb＜0.0001％，镍、铬、铜、钴和锰的百分比为使所述合金满足下列条件：34％≤(Ni+Cr+Cu/2+Co/2+Mn)，所述合金包含最高为1重量％的选自硅、镁、铝和钙中的一种或多种的脱氧元素，构成所述合金的平衡元素为铁和杂质。

公开(公告)号：CN101790596B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880103007.9

申请日：2008-05-30

申请人： 英科特有限责任公司

发明人： E·M·莫塞

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26

CPC分类号： C23C14/028 ,  B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  C23C8/02 ,  C23C14/024 ,  C23C14/083 ,  C23C14/18 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  Y10T428/24545

摘要： 本发明涉及制备一种涂有金属氧化物的具有可选择疏水行为程度的表面(9)的工件(10)，其中该基底材料(1)的表面的至少部分区域配备有微结构(2，3)，该微结构通过机械压印，并接着经涂覆而配备。然后在微结构上淀积含烃的或含氧化硅的保护层(6)和/或至少一层覆层(7)，在覆层的表面(9)上出现所需的疏水行为。该含金属氧化物的覆层(7)的杀病菌和催化作用通过引入含金属的纳米颗粒而增强或产生。

公开(公告)号：CN101473062B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780023174.8

申请日：2007-06-14

申请人： 应用材料公司

发明人： D·帕德希 ,  C·陈 ,  S·拉蒂 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·周 ,  K·杰纳基拉曼 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。

公开(公告)号：CN101553598B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200780039077.8

申请日：2007-10-16

申请人： H.E.F.公司

发明人： P·莫林-佩里尔 ,  F·莱德拉皮尔 ,  L·豪泽

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/26

CPC分类号： C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12958 ,  Y10T428/30

摘要： 薄层沉积在具有其参数与平均周期被测定的粗糙度轮廓的表面上，以便改进摩擦性能，因此如由法国标准ISO 4288所规定的，以μm表示的轮廓平均周期(PSM)的平方与以μm表示的粗糙度轮廓(Pa)之间的比A大于或等于5×105μm，即：。

公开(公告)号：CN101842193A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200980100867.1

申请日：2009-03-18

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 挂川崇 ,  成嶋健索

IPC分类号： B24C1/00 ,  B24C11/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： B24C1/00 ,  B24C1/003 ,  B24C1/06 ,  B24C11/00 ,  C23C16/0254

摘要： 本发明具备：第1喷砂工序，使用由非升华性材料构成的喷砂材(例如氧化铝)对喷头部和处理容器等的金属母材的表面进行喷砂处理；第2喷砂工序，使用由升华性材料构成的喷砂材(例如干冰)对实施了所述第1喷砂工序的所述金属母材的表面进行喷砂处理。通过第1喷砂工序，将金属母材的表面进行适度粗糙化而难以产生在成膜处理中发生的附着膜的剥离，同时防止由于附着膜的剥离引起的颗粒物的产生；通过第2喷砂工序，将附着在金属母材的表面的非升华性喷砂材的残渣基本完全除去，防止由于金属母材脱落的非升华性喷砂材的残渣引起颗粒物的产生。

公开(公告)号：CN109609924A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201910038017.9

申请日：2019-01-15

申请人： 中国航发北京航空材料研究院

发明人： 张儒静 ,  何利民 ,  许振华 ,  李娜 ,  汤智慧

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C25F3/22 ,  C25D11/34

CPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C25D11/34 ,  C25F3/22

摘要： 本发明是一种降低石墨烯晶片形核密度的方法，该方法的步骤是首先对铜箔表面进行抛光和氧化预处理，然后在处理后的铜箔表面制备石墨烯晶片。本发明提出了新的降低石墨烯晶片形核密度的方法，简便易行、效果好。同时，在本方法的基础上可探究铜基底的粗糙度及氧化程度对石墨烯晶片形核密度的影响，以便进一步增加石墨烯晶片的尺寸，提高石墨烯薄膜的质量。

公开(公告)号：CN107400923A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710607290.X

申请日：2017-07-24

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 朱嘉琦 ,  赵继文 ,  代兵 ,  杨磊 ,  韩杰才 ,  舒国阳 ,  刘康 ,  高鸽 ,  吕致君 ,  姚凯丽 ,  王强 ,  刘本建

IPC分类号： C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02

CPC分类号： C30B28/14 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

摘要： 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。

公开(公告)号：CN106835064A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611173709.7

申请日：2016-12-16

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 唐永炳 ,  王陶 ,  张文军 ,  李振声

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/271 ,  C23C16/30

摘要： 本发明提供了一种具有金刚石/碳化硅复合涂层的工具，包括工具基体，以及设置在所述基体上的多层涂层结构，所述多层涂层结构包括碳化硅/金刚石复合涂层，以及金刚石涂层，自基体表面向上，所述碳化硅/金刚石复合涂层和金刚石涂层依次交替排布形成多层结构，且所述多层涂层结构的顶层为金刚石涂层。本发明提供的多层涂层结构中的每一层中均含有金刚石相的连续生长，增强了各层之间的界面结合强度，能够有效降低涂层的内应力，增强薄膜与基体的粘附性，尤其是有利于抵抗工具在切削加工中产生的高强切应力，还可增强在整个涂层厚度方向的整体断裂韧性。本发明还提供了该具有金刚石涂层的工具的制备方法。

公开(公告)号：CN106449408A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610639151.0

申请日：2016-08-05

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 中山雅则 ,  菊池俊之 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L22/20 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02532

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，本发明的课题在于抑制半导体器件的特性产生偏差。该半导体器件的制造方法具有：对具有凸构造且形成有第一含硅层的衬底进行研磨的工序；取得研磨后的第一含硅层的面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据，决定使衬底的中心侧的膜厚和衬底的外周侧的膜厚之差减小的处理条件的工序；供给处理气体来形成第二含硅层，并且基于处理条件，以使衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度和衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，来修正由第一含硅层和第二含硅层构成的层叠膜的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN106191806A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610557529.2

申请日：2016-07-14

申请人： 江南石墨烯研究院

发明人： 沈丽明 ,  郭国标 ,  吉成 ,  何大方 ,  暴宁钟

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/513 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/513

摘要： 本发明提供了一种高温压电传感器中石墨烯电极的制备方法，包括以下步骤：将预处理过的高温压电传感器的高温压电晶片放入等离子体化学气相沉积腔室中，关闭腔室，启动真空泵；至腔室中的气压降至10-5Torr以下，通入保护气和碳氢化合物气体调节腔室中的压强；启动真空反应炉加热升温，打开等离子体源，恒温沉积，得到石墨烯电极。本发明提供的石墨烯电极的制备方法采用高温压电晶片作为衬底，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术直接在无金属催化的晶片表面生长少层或多层的石墨烯作为电极，石墨烯薄膜与晶片之间附着力好，石墨烯膜的导电性能优异。