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公开(公告)号：CN115322687B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211166135.6
申请日：2022-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高热导率磷酸盐基无机绝缘胶黏剂及其粘接方法，本发明涉及无机绝缘胶黏剂及其粘接方法。本发明要解决现有导热绝缘胶无法兼顾高导热、优绝缘、强粘接、低热膨胀性的同时满足。一种高热导率磷酸盐基无机绝缘胶黏剂，它由磷酸二氢铝溶液、固化剂及导热填料混合而成；粘接方法：将高热导率磷酸盐基无机绝缘胶黏剂分别涂覆于两块待粘接件表面，然后贴合，得到粘接件，在真空及室温条件下，粘接件静置，然后升温保温。本发明用于高热导率磷酸盐基无机绝缘胶黏剂及其粘接。
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公开(公告)号：CN114573983A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210259185.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备方法，它涉及导热薄膜的制备方法。本发明要解决现有散热材料无法同时兼具轻薄、高平整度、高导热率、高电阻率、优异力学性能和优异热稳定性的问题。制备方法：一、制备表面具有强负电位的芳纶纳米纤维；二、对纳米金刚石表面进行功能化；三、制备ND@PDDA/ANF/DMSO混合液；四、制备ND@PDDA/ANF复合导热薄膜。本发明用于纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN107400923B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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公开(公告)号：CN107523828B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN109742026A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116285843B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310427359.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09J175/04 , C09J11/04 , C09J5/00
Abstract: 一种有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用方法，本发明涉及导热绝缘粘接剂的制备方法和使用方法。本发明要解决现有导热粘接剂无法实现高热导率、良好粘接性能及绝缘特性的同时满足。制备方法：一、有机相磷酸二氢铝的制备方法；二、金刚石导热填料的处理方法；三、与磷酸二氢铝相容的聚氨酯改性方法；四、有机/无机杂化绝缘粘接剂双组分的配制方法。使用方法：将粘接剂涂抹至待粘接材料表面并贴合，除泡处理，然后升温保温。本发明用于有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用。
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公开(公告)号：CN108154004B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN105223125B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510657869.8
申请日：2015-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法，涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系；并建立涂层应力演变物理模型；然后进行热循环加速试样老化实验，根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数；再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试，拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l；以L＝试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。
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公开(公告)号：CN105296966A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510786301.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微波增强等离子体化学气相沉积中功率-气压-温度耦合方法，它涉及微波增强等离子体化学气相沉积技术的改进方法。本发明要解决现有的MPCVD技术制备金刚石薄膜过程中，由于基体温度、功率密度和沉积气压对于制备出的金刚石薄膜质量影响大的问题。本发明方法为：步骤一、实验数据采集步骤；二、检测试样质量；步骤三、制备工艺参数关系拟合。本发明的方法可以提高单晶金刚石的生长质量。
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公开(公告)号：CN116285843A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310427359.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09J175/04 , C09J11/04 , C09J5/00
Abstract: 一种有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用方法，本发明涉及导热绝缘粘接剂的制备方法和使用方法。本发明要解决现有导热粘接剂无法实现高热导率、良好粘接性能及绝缘特性的同时满足。制备方法：一、有机相磷酸二氢铝的制备方法；二、金刚石导热填料的处理方法；三、与磷酸二氢铝相容的聚氨酯改性方法；四、有机/无机杂化绝缘粘接剂双组分的配制方法。使用方法：将粘接剂涂抹至待粘接材料表面并贴合，除泡处理，然后升温保温。本发明用于有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用。
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