公开(公告)号：CN116324020A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063210.3

申请日：2021-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吉蒂卡·巴贾 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  罗伯特·詹·维瑟 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC: C23C16/18

Abstract: 本发明描述了通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和有机硅烷反应物来沉积金属膜的方法。该卤化物前驱物包含具有以下通式(I)的化合物：MQzRm，其中M是金属，Q是选自Cl、Br、F或I的卤素，z是自1至6，R选自烷基、CO，和环戊二烯基，并且m是0至6。铝反应物包含具有以下通式(II)或通式(III)的化合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ra、Rb、Rc、Rd、Re，和Rf独立的选自氢(H)、被取代烷基或未被取代烷基；并且X、Y、X'，和Y’独立地选自氮(N)和碳(C)。

公开(公告)号：CN115244212A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018843.2

申请日：2021-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李路平 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  陈玟婷 ,  杨逸雄 ,  黄仁锡 ,  陈世忠 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  G02B5/08 ,  G02B1/02

Abstract: 本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。

公开(公告)号：CN113016059A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980074920.9

申请日：2019-10-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  李吉尔 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  姜声官 ,  桑杰·纳塔拉扬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本文提供基板制造的方法和设备。例如，所述设备可包括群集工具，其包括真空传送模块(VTM)，其配置为在真空条件下接收具有多晶硅插塞(多晶插塞)的硅基板，且在不中断真空的情况下将基板传送至多个处理腔室和从多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至VTM，以在基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，多个处理腔室包括：预清洁腔室，其配置为从基板的表面移除原生氧化物；阻挡金属沉积腔室，其配置为在硅基板上的多晶插塞的表面上沉积阻挡金属；阻挡层沉积腔室，其配置为在阻挡金属的表面上沉积至少一种材料；位线金属沉积腔室，其配置为在阻挡层的表面上沉积至少一种材料；和硬掩模沉积腔室，其配置为在位线金属的表面上沉积至少一种材料。

公开(公告)号：CN107532297B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201680022766.7

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  马里奥·丹·桑切斯 ,  简国强 ,  杨义雄 ,  迪帕克·贾达夫 ,  阿什托西·阿咖瓦

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。

公开(公告)号：CN104737275B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201380054229.7

申请日：2013-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  张镁 ,  戴维·汤普森 ,  史蒂夫·G·加奈耶姆

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/345 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。

公开(公告)号：CN104254914B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380021611.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕新亮 ,  赛沙德利·甘古利 ,  阿蒂夫·努里 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  陈世忠 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  唐薇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。

公开(公告)号：CN103946957B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280054152.9

申请日：2012-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欣亮·卢 ,  戴维·汤普森 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  梅·张 ,  赛沙德利·甘古利 ,  唐伟 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿蒂夫·努里

IPC: C23C16/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

Abstract: 酮基或醛基。(56)对比文件US 2007045856 A1,2007.03.01,US 2008003838 A1,2008.01.03,US 2008057344 A1,2008.03.06,TW 200823311 A,2008.06.01,

公开(公告)号：CN102939657B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180030291.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/28079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN105390381A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。