-
公开(公告)号：CN118563414A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645287.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出工装，包括夹持机构、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端与旋转环相连接。通过动力机构带动旋转环周向转动，使传动部沿固定环的径向方向向晶棒移动，促使夹紧部与晶棒的外壁紧密贴合，从而实现对晶棒的夹紧。在整个取晶棒的过程中，采用垂直提取的方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线上，使晶棒重心更加稳定，能够防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
-
公开(公告)号：CN118441348A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410528275.6
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/26 , C30B29/06 , G01F23/292
Abstract: 本发明提供一种液口距测量方法及装置，属于单晶硅制备技术领域。包括如下步骤：获取双目相机到导流筒上沿的距离H1，及双目相机到导流筒倒影的距离H2；获取导流筒高度D1；获取热屏下沿到导流筒下沿的距离D2；根据双目相机到导流筒上沿的距离H1、双目相机到导流筒倒影的距离H2、导流筒高度D1以及热屏下沿到导流筒下沿的距离D2，通过计算公式计算得到液口距GAP，以导流筒为参考，利用双目相机测距原理来确定导流筒与硅溶液液面的距离，再根据导流筒与热屏之间的距离从而确定热屏到硅溶液液面的距离，即液口距，从而操作简单，无需控制籽晶的下降距离与热屏之间的关系，使得液口距的测量结果准确，精度高。
-
公开(公告)号：CN118007229A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410347030.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中NG率显著降低。
-
公开(公告)号：CN117568919A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311553200.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼单晶硅BMD的方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在等径拉晶过程中，降低拉速为预定值进行拉晶，以延长BMD形成的时间，使得BMD有充足的时间成核、生长，使得掺硼单晶硅的BMD增加达到1E9 ea/cm3以上，达到规格要求，提高良率。
-
公开(公告)号：CN117552084A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311587967.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法，涉及单晶硅生长技术领域。在整个等径过程中，根据硅液高度中心位置调整磁场中心位置，使得磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，以通过磁场抑制硅液对流，从而减少掺杂剂的挥发，提高掺杂剂的掺杂效率，并且保持磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，可以提高磁场对硅液对流抑制的稳定性，使得硅液对流处于稳定的状态，进而提高拉晶过程的稳定性；同时，调节等径过程中的炉压、液口距、氩气流量、坩埚旋转速度以及结晶旋转速度，以减少单晶硅的体微缺陷，提高晶体的成活率，实现无缺陷超低阻单晶硅的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117535784A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311506894.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20 , C30B29/06 , G16C60/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 一种降低200mm半导体级单晶硅缺陷的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：设计至少两种用于对200mm半导体级单晶硅进行拉制的热场，得到对应各热场的热场参数；步骤2：分别针对设计的每个热场，利用各热场的热场参数进行仿真模拟，得到仿真模拟结果；步骤3：对各热场的仿真模拟结果进行综合分析，从设计的至少两种热场中筛选出拉制200mm半导体级单晶硅时产生缺陷最少的最优热场；步骤4：按照最优热场的参数在单晶炉中进行热场部署，并进行200mm半导体级单晶硅的拉制。本方案能够节省拉晶时间和实验成本，同时能够大大降低半导体单晶硅中的缺陷。
-
公开(公告)号：CN117504478A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311474941.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种单晶炉清洁用空气净化装置，包括第一容纳室、第二容纳室，第一容纳室和第二容纳室的高度不低于单晶炉副炉的高度，第一容纳室设置第一对接口，第二容纳室设置第二对接口，第一对接口和第二对接口贴合使第一容纳腔和第二容纳腔相连通，第二容纳室的一侧设置进入口，进入口上设置塑胶垂帘以便清洁人员进入，第一容纳室和/或第二容纳室中设置高效过滤器，高效过滤器将清理主炉内壁、副炉内壁、加热器的内外壁过程中所产生的含有氧化物的扬尘过滤并收集在高效过滤器内，避免了清洁过程中所产生的扬尘飘逸至无尘车间中进入其他单晶炉内。本发明还提供一种单晶炉清洁用空气净化方法。
-
公开(公告)号：CN117457523A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311500431.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种硅单晶少子寿命的检测方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，选取P‑或N‑型硅单晶，将硅单晶切片，得到原始硅片，将原始硅片放入碱性腐蚀液中，在预定温度下浸泡预定时间，以生成原硅酸，得到腐蚀硅片，以使硅片表面状态得到调控；将腐蚀硅片进行清洗、并进行干燥得到清洗硅片；将清洗硅片进行钝化，进行μPCD法测试，原始硅片在氢氧化钠腐蚀液中，硅原子与氢氧根结合，硅片上未配对的电子可以与氢氧根结合变成硅氧键，硅氧键断裂后与其他原子形成共价键，最终形成原硅酸，使硅片表面状态得到调控，在该表面状态在再进行钝化时，最大程度降低由于硅片表面状态干扰的复合速率，进而测试时能够得到加工前硅片真实少子寿命值。
-
公开(公告)号：CN117418299A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311399324.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种12寸超低氧晶棒拉制方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在拉晶过程中，调节炉压，使得石英坩埚与硅熔体生成的SiO挥发速率加快，再配合氩气流量将挥发的SiO带走，减少单晶炉内的氧含量以降低氧进入晶棒的几率，进一步的调节晶棒、坩埚转速抑制坩埚内熔体的对流，以减少晶棒中的氧含量，使得晶棒中的氧含量降低至5ppma以下。
-
公开(公告)号：CN117301332A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311430955.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有夹持线头功能的多线切割机，线切割机壳体上设有夹持装置，夹持装置包括芯轴、弹性夹片、气缸以及防尘罩，所述弹性夹片一端与所述芯轴固定连接，所述防尘罩位于弹性夹片外侧，所述气缸设置在芯轴的一端；本发明通过压缩空气管分别与气缸以及出气口连通，一方面使气缸能够带动弹性夹片对钢线进行夹紧，另一方面对弹性夹片固定处的钢线线头进行清灰，保持钢线线头的洁净，本装置能够有效的解决现有线切割机在更换线轮时，使用胶带固定钢线线头容易掉落且不易操作的问题，可以有效便捷的固定钢线线头，便于现场人员进行操作，提高工作效率等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.037 seconds)
