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公开(公告)号：CN119075645A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411381712.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及废气处理技术领域，尤其涉及一种硅片酸洗废气处理装置及废气处理方法，该硅片酸洗废气处理装置中设有碱洗组件、第一净化组件、氧化组件、第二净化组件、冷却组件及存储组件，碱洗组件的入料端用于抽取硅片酸洗废气，出料端与第一净化组件的入料端连接，第一净化组件的出料端与氧化组件的入料端连接，氧化组件的出料端与第二净化组件的入料端连接，冷却组件安装在第一净化组件和氧化组件间的连接管路上，存储组件与第一净化组件和氧化组件间的连接管路连接；如此，通过冷却组件将大量的二氧化氮气体冷凝为二氧化氮液体，通过存储组件存储二氧化氮液体，以降低需要反应的二氧化氮气体总量，防止部分来不及反应的二氧化氮气体逃逸至大气中造成污染。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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公开(公告)号：CN118127613A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277532.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中，根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制，且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内，使得等径拉制过程中，随着等径长度的增加，拉速逐渐降低至最低值，增大尾部杂质挥发，减少杂质进入晶棒等径后段，使得电阻率升高，进而等径头部至尾部的轴向电阻率变化平缓，晶棒轴向电阻率的均匀性提高，整棒的合格率提高。
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公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
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公开(公告)号：CN118028967A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119549465A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411743983.8
申请日：2024-11-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于真空泵清洁技术领域，具体涉及一种单晶炉用真空泵清洁系统及及氧化物防沉积螺杆泵，真空泵清洁系统包括螺杆泵，所述螺杆泵的进口端与单晶炉连通，螺杆泵的泵体上设置有氧化物防沉积，氧化物防沉积用于在螺杆泵运行期间向螺杆泵的泵腔内吹入与单晶炉内的掺杂不发生反应的压缩气体，且压缩气体由螺杆泵的入口端吹入，氧化物防沉积包括压缩气体发生器和至少一根吹气管，吹气管的一端连接至压缩气体发生器，另一端与螺杆泵的泵体连通，吹气管向真空泵内的转子或内腔上吹送压缩气体，将附着在真空泵内的转子或内腔上的氧化物吹起，该氧化物随着真空泵的运行从螺杆泵的出口排出，以免氧化物沉积到转子上，进而导致泵卡死。
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公开(公告)号：CN119347975A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411743934.4
申请日：2024-11-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供的防止晶棒掉落的晶棒转运装置及晶棒截断系统，属于单晶硅技术领域，其中防止晶棒掉落的晶棒转运装置包括支架、第一防掉落组件、移动组件，第一防掉落组件位于支架的上端，第一防掉落组件与支架可拆卸连接，第一防掉落组件包括第一承载部、夹持部，夹持部的数目为两个，第一承载部的上端开设与晶棒相适配的梯形槽，第一承载部位于支架的上端，两个夹持部分别位于第一承载部的两侧，两个夹持部均与第一承载部相对垂直，且两个夹持部相对平行，第一承载部与支架可拆卸连接，两个夹持部均与第一承载部转动连接，两个夹持部的相对面共同抵持晶棒，以使晶棒位于第一承载部的梯形槽中防止晶棒掉落，第一承载部支撑两个夹持部均位于支架上。
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公开(公告)号：CN119085493A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411371753.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及包装盒检测技术领域，尤其涉及一种半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统及测量方法，该半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统中设有固定模块、光源模块、采集模块及处理模块，固定模块用于固定半导体硅片包装盒，光源模块及采集模块设置在固定模块的一侧，采集模块与处理模块通信连接；如此，通过光源模块照射半导体包装盒内侧，采集模块收集半导体包装盒内侧的光线信息数据并上传至处理模块，处理模块根据上传的数据生成半导体包装盒内侧轮廓，并将其与预设的标准包装盒模型进行比对来确定半导体包装盒是否合格，在整个过程中没有使用晶圆样品，从而避免晶圆样品与半导体包装盒内部接触时造成的污染，进而防止半导体包装盒对半导体硅片造成污染。
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公开(公告)号：CN119077993A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411212359.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的避免晶圆切片厚度不均匀的半导体晶圆切片辅助装置，属于晶圆切片装置技术领域，包括加工台、夹持组件、弹性组件、定位组件、切割组件，加工台的中部上表面竖直开设有上料孔，夹持组件位于上料孔内，弹性组件位于夹持组件与上料孔的底壁之间，定位组件、切割组件均位于加工台的上方，定位组件、切割组件均位于夹持组件的上方，切割组件位于定位组件位于的一侧，切割组件对晶圆本体进行晶圆切片的过程中，夹持组件夹持晶圆本体位于上料孔中，切割组件受到晶圆本体带来的切割阻力时，切割组件与夹持组件卡接，切割组件与夹持组件一体联动，使晶圆本体的切割面不发生偏移，避免了晶圆切片的厚度不均匀。
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公开(公告)号：CN119069375A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411210487.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅单晶切片样片检测分析方法，涉及单晶炉电力控制系统技术领域，将硅单晶切片样片进行Warp、厚度、BOW值检测，得到每个批号硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号；将得到每个批号的硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号进行存储，得到数据库；根据得到的数据库对检测数据进行异常检测、统计分析和趋势预测，以对多线切割机切割出的硅片进行质量监控，并且根据对检测数据进行统计分析和趋势预测能够及时对多线多切割机进行调整，降低硅片不合格的概率，减少浪费。
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