公开(公告)号：CN103215565A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210210266.X

申请日：2012-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  李志聪 ,  陈嘉和 ,  林进祥

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45591

Abstract: 本公开涉及CVD共形真空/抽吸引导设计和用于引导室内的气流的引导元件。引导元件包括结构、一个或多个入口、出口和传输区。一个或多个入口形成在结构的第一侧上。入口具有根据去除速率选择的入口尺寸，以减轻室内的气流变化。出口位于与结构的第一侧相对的结构的第二侧上。出口具有根据去除速率选择的出口尺寸。传输区在结构内，并将入口耦合或连接至出口。

公开(公告)号：CN103008298A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210311742.7

申请日：2012-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  庄国胜 ,  张简瑛雪 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: B08B7/04 ,  B08B1/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67046 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。

公开(公告)号：CN102117745B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010529270.3

申请日：2010-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国彬 ,  李思毅 ,  陈嘉仁 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明一实施例中，提供一种半导体结构金属栅极堆叠的制造方法，该方法包括：形成一第一伪栅极与一第二伪栅极于一基板上；移除该第一伪栅极的一多晶硅层，以形成一第一栅极沟槽；形成一第一金属层与一第一铝层于该第一栅极沟槽中；对该基板实施一化学机械研磨(CMP)工艺；使用一含氮与含氧气体，对该第一铝层实施一回火工艺，以形成一界面层于该第一铝层上，该界面层含铝、氮与氧；移除该第二伪栅极的一多晶硅层，以形成一第二栅极沟槽；以及形成一第二金属层与一第二铝层于该第二栅极沟槽中，该第二铝层形成于该第二金属层上。本发明的优点包括：可避免p型场效晶体管(pFET)的门槛电压漂移；可降低半导体结构的RC延迟，改善电路效能。

公开(公告)号：CN102034752A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910261397.9

申请日：2009-12-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄义雄 ,  林进祥 ,  李宏仁 ,  刘恒信

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L21/823871 ,  G03F7/091 ,  G03F7/093 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明揭示一种集成电路元件的制造方法。该方法是一微影图案化方法。该微影图案化方法可包含：提供基材；形成保护层于基材上；形成导电层于保护层上；形成光阻层于导电层上；以及曝光并显影光阻层。本发明的图案化微影方法形成保护层与导电层于光阻层与基材之间。保护层与导电层可在后续处理期间，有效降低对于基材的损伤。保护层可提供基材/元件较佳的隔离效果，保护基材/元件使其不受电子放电的损害，并可防止电子转移。而导电层可提供至地面的电子转移路径及/或提供电荷散逸。

公开(公告)号：CN102034694A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010501839.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国彬 ,  吕信杰 ,  陈嘉仁 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28238 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明一实施例公开集成电路的形成方法包括形成栅极介电结构于基板上，形成含钛牺牲层以接触栅极介电结构，以及实质上移除全部的含钛牺牲层。本发明中，多晶硅层表面的多晶硅隆起缺陷数量可减少至所需的程度。

公开(公告)号：CN101740372A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910206726.X

申请日：2009-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件栅极的方法。实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。在栅极电介质层上形成界面层。实施例中，栅极电介质层包含HfO2，界面层包含Hf-N。功函数金属层可形成在界面层上。本发明同时提供了一种器件。

公开(公告)号：CN100594431C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200610080805.7

申请日：2006-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  施仁杰

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/13 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影系统及其制程，该浸润式微影系统，其至少包含：一物镜；一基材平台，设置于该物镜之下；一液晶，至少部份地填充于该物镜与该基材平台上的一基材间的一空间；以及一液晶控制器，具有一第一电极和一第二电极，该第一电极和该第二电极是设置来在曝光制程中控制该液晶。本发明中，液晶具有高折射率，并可借由适当电压或其他适当方法来达到最佳化的折射率与聚焦深度。

公开(公告)号：CN100514192C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610149997.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  高蔡胜 ,  陈俊光 ,  陆晓慈 ,  梁辅杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70641 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。

公开(公告)号：CN101106080A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710002096.5

申请日：2007-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林本坚 ,  林进祥 ,  陈桂顺 ,  高蔡胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。

公开(公告)号：CN1963673A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200510115208.9

申请日：2005-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  林建宏 ,  林进祥 ,  鲁定中 ,  林本坚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影曝光设备及方法，适用于在浸润式微影期间实质消除曝光液体中的微气泡。该设备包括光学系统，可透过光罩而将光投射至晶圆上。光学转移室邻近于上述的光学系统，以装载曝光液体。至少一百万赫级超音波板可动地接合在光学转移室，以在曝光液体中产生音波，并可以消除曝光液体中的微气泡。