公开(公告)号：CN101202227A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710165142.3

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 徐惠文 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  阿米尔·阿尔-巴亚提 ,  德里克·威蒂 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。

公开(公告)号：CN1698189A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000687.3

申请日：2004-01-12

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 李丽华 ,  黄子芳 ,  胡安·C·罗奇阿尔瓦雷斯 ,  夏立群

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明的一实施例是一种用于沉积低k值介电薄膜的方法，其包括下列步骤(a)以CVD法沉积一低k值介电薄膜；以及(b)以等离子体处理该CVD沉积的低k值介电薄膜。

公开(公告)号：CN102077324A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125853.5

申请日：2009-06-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 陈劲文 ,  K·A·埃尔舍拉夫 ,  A·T·迪莫斯 ,  谢美晔 ,  李力攀 ,  夏立群 ,  任康树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3141 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

Abstract: 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中，该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化，且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔，以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。

公开(公告)号：CN101431046B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810169680.4

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  任康树 ,  梅休尔·内克 ,  崔振江 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  夏立群

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：CN101065834B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580034047.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 任康树 ,  黄李丽华 ,  弗朗西马尔·施米特 ,  夏立群

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明公开了应用各种技术形成具有低机械应力的低K值介电膜。在一实施例中，在低温(300℃或更低)下以等离子体增强化学气相沉积工艺形成一含碳的氧化硅膜。在另一实施例中，所沉积的含碳氧化硅膜中因并入可于后续工艺中释出的致孔剂(porogen)，因而降低薄膜的应力。

公开(公告)号：CN101208783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材料以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN101496145A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于使自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN101425458A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171147.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  维克多·恩古源 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德 ,  杨海春 ,  卢欣亮 ,  高乾泰 ,  张梅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供形成至少一层介电层的方法和系统。其中一种结构的形成方法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。

公开(公告)号：CN101205607A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710165143.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 米哈拉·鲍尔西努 ,  维克托·T·恩古源 ,  夏立群 ,  弗拉迪米尔·朱布科夫 ,  德里克·R·威蒂 ,  希姆·M·萨德

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02167 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有压应力的碳掺杂氮化硅层的方法。该方法包括形成初始层和该初始层上的体层，其中体层的压应力在大约－0.1GPa至约－10GPa之间。初始层由包括含硅和碳的前驱物以及选择性地包括氮和/或氧源但不包括氢气的气体混合物沉积。体层由包括含硅和碳的前驱物、氮源以及氢气的气体混合物沉积。初始层是允许体层的压应力良好地通过传输到底层的薄层，例如晶体管的沟道。

公开(公告)号：CN101088150A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580038908.0

申请日：2005-11-10

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 米哈拉·巴尔塞努 ,  郑起范 ,  黄丽华李 ,  夏立群 ,  王荣平 ,  蒂瑞克·R·威蒂 ,  莱维斯·斯蒂恩 ,  马丁·J·西蒙斯 ,  希琴·姆塞德 ,  迈克尔·C·克蔓

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3185 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一态样中，是在一基材上形成一应力材料。该基材置放在一处理区中，且一等离子体会由该处理区中所提供的处理气体形成，该处理气体具有含硅气体与含氮气体。亦可再加入稀释气体，例如，氮。该气体沉积材料会曝露在紫外线或电子束下，以增加沉积的氮化硅材料的应力。