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公开(公告)号：CN109690730B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201780033498.3
申请日：2017-06-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毕峰 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , P·康纳斯
Abstract: 本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼‑碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。
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公开(公告)号：CN108140545B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201680056619.1
申请日：2016-08-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , K·T·纳拉辛哈 , K·D·李 , 金柏涵
Abstract: 本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
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公开(公告)号：CN112930580A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980068601.7
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , S·博贝克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。所述方法包含将部件中的残留物暴露于含有含氮气体和含氧气体的工艺等离子体。部件中的残留物经历化学反应，从而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行工艺化学反应之前的条件。
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公开(公告)号：CN111587474A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880084977.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 在本文中描述的实施方式总的来说涉及集成电路的制造。更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物质植入到非晶碳膜中。掺杂剂或惰性物质选自碳、硼、氮、硅、磷、氩、氦、氖、氪、氙或其组合。方法进一步包括图案化经掺杂的非晶碳膜。方法进一步包括蚀刻底层。
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公开(公告)号：CN106663652B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201580044951.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683 , H01L21/324
Abstract: 所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636197B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680029154.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN109637926A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811561845.2
申请日：2016-08-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , K·T·纳拉辛哈 , K·D·李 , 金柏涵
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/3065 , C23C16/32 , C23C16/505
CPC classification number: H01L21/0338 , C23C16/32 , C23C16/505 , H01L21/02112 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
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公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN107731728A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710946426.X
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 本发明涉及一种基板支撑组件。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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