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公开(公告)号：CN107112278A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068587.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/30 , C23C16/452 , C23C16/455
CPC classification number: H01L23/5329 , C23C16/30 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/0214 , H01L21/02145 , H01L21/02167 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/76832
Abstract: 在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN103069569A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039182.8
申请日：2011-08-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/10
CPC classification number: H01L45/149 , C23C16/26 , C23C16/505 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1616
Abstract: 本发明提供一种电子设备，该电子设备包含基板上的可变电阻存储器元件。该可变电阻存储器元件包含：(1)无定形碳层，该无定形碳层包含至少约30原子百分比的氢含量及小于约1×10-9安培的最大漏电流；以及(2)一对电极，该对电极环绕该无定形碳层。本发明还描述了制造该设备及其他设备的方法。
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公开(公告)号：CN119856246A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380063987.9
申请日：2023-09-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与一种或多种沉积前驱物接触。所述方法可包括：在基板上形成含硅材料。所述方法可包括：将含氟前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使基板上的含硅材料与含氟前驱物接触，以形成氟处理的含硅材料。所述方法可包括：使氟处理的含硅材料与氩或二原子氮的等离子体流出物接触。
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公开(公告)号：CN114867890B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080088923.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN111344834B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201880072836.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN117616552A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048476.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , C23C16/505 , H01J37/32 , C23C16/458 , H01L21/683
Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的吸附主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面可以限定环形槽和/或脊。多个突起的子集可以设置在环形槽和/或脊内。基板支撑组件可以包括与吸附主体耦合的支撑柄。
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公开(公告)号：CN117580972A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045837.0
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定直接定位在基板支撑件的至少一部分上方的环形槽或脊。
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公开(公告)号：CN116490963A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180072290.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , D·R·B·拉吉 , R·豪莱德 , A·凯什里 , S·G·卡马斯 , D·A·迪兹尔诺 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·斯里瓦斯塔瓦 , K·R·恩斯洛 , 韩新海 , D·帕德希 , E·P·哈蒙德
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源，向电极提供信号来提供静电力，以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器，所述滤波器通信耦合在电源与电极之间。所述滤波器被配置为在维持基板上的静电力的同时移除因操作加热器而引入吸附信号中的噪声。滤波器可包括有源电路系统、无源电路系统或两者，并且可包括调整电路以设置滤波器的增益，使得来自滤波器的输出信号电平对应于用于滤波器的输入信号电平。
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