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公开(公告)号：CN113394073B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110219663.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案揭示一种射频屏幕、紫外线灯系统、及筛选射频能量的方法，特别是一微波供电的紫外线(UV)灯系统的一射频(RF)屏幕。在一实例中，一种所揭示的RF屏幕包括：一薄片，其包含一导电材料；及一框架，其围绕此薄片的边缘。此导电材料跨越实质上此屏幕的一操作性区域而界定单独开口的一预定网格图案。此些单独开口中的每一者具有一个三角形形状。
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公开(公告)号：CN113436984B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN113471128B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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公开(公告)号：CN112397535B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010738104.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。
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公开(公告)号：CN113471128A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113436984A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN112501587A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010908731.1
申请日：2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本揭露揭示一种化学气相沉积设备、泵浦衬套及化学气相沉积方法，用于使用在用于通过化学气相沉积将一材料沉积在一工件上的一设备中的泵浦衬套包括多个非均匀间隔的孔径。该多个孔径的非均匀间隔产生加工腔室内的加工气体的均匀流动，该泵浦衬套与该加工腔室相关联。使用所揭示的泵浦衬套通过化学气相沉积沉积在一工件上的材料膜展现理想的性质诸如均匀厚度及光滑及均匀表面。
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公开(公告)号：CN107123658A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710072602.1
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN115527886A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210152932.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工件时。
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