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公开(公告)号：CN100466248C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN100466243C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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公开(公告)号：CN1881573A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092671.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：经由绝缘膜2、3形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；形成在上述焊盘电极(4)的表面上的镀敷层(7)；形成在上述镀敷层(7)的表面上并与上述焊盘电极电连接的导电端子(9)；覆盖上述绝缘膜(2、3)之上和上述焊盘电极(4)的侧端部而形成的第一钝化膜(5)。通过覆盖上述第一钝化膜(5)之上和上述镀敷层(7)和上述导电端子(9)的侧壁的一部分而形成第二钝化膜(10)，覆盖造成腐蚀的焊盘电极(4)的露出部(8)。
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公开(公告)号：CN1855463A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610075271.9
申请日：2003-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。
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公开(公告)号：CN1260794C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200310114840.2
申请日：2003-11-07
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/78 , H01L27/14683 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591789A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410006626.X
申请日：2004-02-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/482 , H01L23/49827 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。
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公开(公告)号：CN1551347A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038457.8
申请日：2004-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/50 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L25/0657 , H01L27/14806 , H01L2224/0401 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06565 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。
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公开(公告)号：CN101064270B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610162594.1
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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公开(公告)号：CN100536111C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610171222.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 野间崇
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H01L23/48 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L23/3164 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L27/14687 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06154 , H01L2224/10125 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/14135 , H01L2224/14154 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/81141 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H04N5/2257 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，其谋求不使制造工序复杂化而提高可靠性及成品率。在形成平头电极(4)的半导体基板(2)的表面形成树脂层(6)及支承体(7)。蚀刻除去树脂层(6)及支承体(7)而露出平头电极(4)。如图3(c)所示，该蚀刻同时除去隔着切割线DL相向的两个导电端子形成区域(9)和其间连续区域上的支承体(7)，而形成开口部(10)。之后，在开口部(10)露出的平头电极(4)上，形成金属层(11)，进而形成导电端子(12)。最后，通过沿切割线DL切割而将半导体基板(2)分割为各个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1941340A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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