公开(公告)号：CN100527401C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610091292.X

申请日：2006-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。

公开(公告)号：CN1828883A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004202.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金森宽 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  铃木彰

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1941340A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610131718.X

申请日：2006-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。

公开(公告)号：CN1881572A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610091292.X

申请日：2006-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。

公开(公告)号：CN100524725C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610004202.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金森宽 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  铃木彰

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN100466243C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610131718.X

申请日：2006-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。

公开(公告)号：CN1881573A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610092671.0

申请日：2006-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：经由绝缘膜2、3形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；形成在上述焊盘电极(4)的表面上的镀敷层(7)；形成在上述镀敷层(7)的表面上并与上述焊盘电极电连接的导电端子(9)；覆盖上述绝缘膜(2、3)之上和上述焊盘电极(4)的侧端部而形成的第一钝化膜(5)。通过覆盖上述第一钝化膜(5)之上和上述镀敷层(7)和上述导电端子(9)的侧壁的一部分而形成第二钝化膜(10)，覆盖造成腐蚀的焊盘电极(4)的露出部(8)。