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公开(公告)号：CN100527401C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610091292.X
申请日：2006-06-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。
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公开(公告)号：CN101064270A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610162594.1
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层(R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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公开(公告)号：CN1581428A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056261.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN1523665A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310125470.2
申请日：2003-10-11
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 高尾幸弘
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L27/14636 , H01L27/14806 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 一种半导体装置机器制造方法，防止断线或分步敷层的劣化，得到具有高可靠性的BGA的半导体装置。连接硅芯片10A的表面上形成的扩展焊盘电极11与该硅芯片10A的背面的重新配线层21。在该情况下，从硅芯片10A的背面侧开始，贯通硅芯片10A，设置到达扩展焊盘电极11的通孔17，通过在该通孔17中埋填的柱状端子20得到两者的电连接。
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公开(公告)号：CN101174600A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710161962.5
申请日：2004-05-26
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 高尾幸弘
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1148 , H01L2224/13 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可防止断线或分步敷层的劣化，具有高可靠性的BGA。在硅芯片(51A)的表面形成有焊盘电极(53)。设有自硅芯片(51A)的背面贯通硅芯片(51A)到达焊盘电极(11)的通孔(VH)，在该通孔(VH)内通过硅芯片(51A)背面的配线层(64)，和焊盘电极(53)电连接。然后，配线层(64)覆盖硅芯片(51A)背面的硅凸部(58)，并在该硅凸部(58)上的配线层(64)的部分形成焊球(66)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101174572A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710197182.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN100367451C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410056261.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN100355036C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410006626.X
申请日：2004-02-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/482 , H01L23/49827 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。
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公开(公告)号：CN1574257A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049398.4
申请日：2004-06-09
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 高尾幸弘
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05548 , H01L2224/05556 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1148 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有可靠性高的BGA。在半导体衬底51的表面上形成焊盘电极53，将玻璃衬底56粘接在半导体衬底51的表面上。自半导体衬底51的背面至焊盘电极53的表面形成通孔VH。在包括通孔VH内的半导体衬底51背面的整个面上形成绝缘膜59。在绝缘膜59上形成缓冲层60。通过蚀刻除去通孔VH底部的绝缘膜59。形成与焊盘电极53电连接并自通孔VH在缓冲层60上延伸的配线层64。在配线层64上形成导电端子66。然后，将半导体衬底51分割为多个半导体芯片51A。
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公开(公告)号：CN101174572B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710197182.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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