公开(公告)号：CN101304015B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810088783.8

申请日：2008-05-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  大久保登

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种耐湿性提高的半导体装置及其制造方法，且提供一种能将制造工序简略化、提高生产性的半导体装置的制造方法。本发明通过将半导体芯片等的侧面部等由厚的保护层覆盖而提供一种能防止水分等侵入的、可靠性高的CSP结构等的半导体装置及其制造方法。提供这样的生产性高的半导体装置的制造方法，通过从贴附在半导体芯片上的支承体背面侧来蚀刻支承体，能不经过切割工序而分割半导体装置。

公开(公告)号：CN100502022C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610166970.4

申请日：2006-12-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  北川胜彦 ,  野间崇 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  石部真三 ,  森田佑一 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。

公开(公告)号：CN101295686A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN1276492C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03143065.1

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底(1)上形成第一氧化膜(3)，在该第一氧化膜上形成金属焊盘(2a、2b)的工序；由粘接薄膜(7)、粘接剂与薄膜、或者粘接剂粘合所述Si衬底(1)和支承该Si衬底(1)的支承衬底(8)的工序；腐蚀所述Si衬底(1)形成开口部后，在所述Si衬底(1)的下表面和所述开口部内形成第二氧化膜(10)的工序；腐蚀所述第二氧化膜(10)后形成连接在所述焊盘的配线(12)并在该配线(12)上形成导电端子(14)的工序；由所述Si衬底(1)的下表面至所述粘接薄膜(7)进行切割的工序；分离所述Si衬底(1)和所述支承衬底(8)的工序。

公开(公告)号：CN1469447A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03143065.1

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，并实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底1上介由第一氧化膜3形成金属焊盘2a、2b的工序；介由粘接薄膜7粘合所述Si衬底1和支承该Si衬底1的支承衬底8的工序；腐蚀所述Si衬底1形成开口部后，在所述Si衬底1的背面和所述开口部内形成第二氧化膜10的工序；腐蚀所述第二氧化膜10后形成连接在所述焊盘的配线12并在该配线12上形成导电端子14的工序；由所述Si衬底1的背面至所述粘接薄膜7进行切割的工序；分离所述这Si衬底1和所述支承衬底8的工序。

公开(公告)号：CN101290934A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN101083241A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710128252.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  冈田和央 ,  山田纮士 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。

公开(公告)号：CN101038926A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610166970.4

申请日：2006-12-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  北川胜彦 ,  野间崇 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  石部真三 ,  森田佑一 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。

公开(公告)号：CN100334723C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410038457.8

申请日：2004-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  铃木彰 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14806 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。

公开(公告)号：CN1855469A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610074701.5

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。