-
公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
-
公开(公告)号：CN101170090A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要： 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
-
公开(公告)号：CN101355058B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810128189.7
申请日：2008-07-21
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L23/3185 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2224/16 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/12044 , H01L2924/14
摘要： 本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，玻璃基板构成的支承体处于切割后的露出状态。因此，由于通过切割等露出有损伤的玻璃侧面，故因来自外部的物理性冲击，恐怕会导致玻璃缺口、破碎。本发明的半导体装置具有：与半导体芯片内的电路元件连接且形成于该半导体芯片上的侧面部附近的焊盘电极；形成于焊盘电极上的支承体；形成于半导体芯片的侧面部和背面部的绝缘膜；与焊盘电极的背面连接、从半导体芯片的侧面部向背面部延伸而与绝缘膜相接的配线层；形成于支承体的侧面部的第二保护膜。根据本发明，由于覆盖支承体的侧面部而形成保护膜，故可以防止来自外部的物理性冲击直接施加于支承体。
-
公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC分类号： H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
-
公开(公告)号：CN100546021C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要： 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
-
公开(公告)号：CN101083241A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC分类号： H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
-
公开(公告)号：CN101038926A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
-
公开(公告)号：CN101355058A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810128189.7
申请日：2008-07-21
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L23/3185 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2224/16 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/12044 , H01L2924/14
摘要： 本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：与半导体芯片(2a)内的电路元件连接且形成于该半导体芯片(2a)上的侧面部附近的焊盘电极(4)；形成于所述焊盘电极(4)上的支承体(7)；形成于所述半导体芯片(2a)的侧面部和背面部的绝缘膜(9)；与所述焊盘电极(4)的背面连接、从所述半导体芯片(2a)的侧面部向背面部延伸而与所述绝缘膜相接的配线层(10)；形成于所述支承体(7)的侧面部的第二保护膜(15a)。
-
公开(公告)号：CN101174572B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710197182.6
申请日：2004-08-06
申请人： 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L2224/13
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
-
公开(公告)号：CN100470781C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610074701.5
申请日：2003-04-23
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ballGrid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.042 秒)
