发明授权
CN101355058B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method of manufacturing the same
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申请号: CN200810128189.7申请日: 2008-07-21
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公开(公告)号: CN101355058B公开(公告)日: 2010-09-22
- 发明人: 北川胜彦 , 篠木裕之
- 申请人: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
- 当前专利权人: 三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权: 195820/07 2007.07.27 JP
- 主分类号: H01L23/00
- IPC分类号: H01L23/00 ; H01L23/31 ; H01L23/48 ; H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/60
摘要:
本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中,玻璃基板构成的支承体处于切割后的露出状态。因此,由于通过切割等露出有损伤的玻璃侧面,故因来自外部的物理性冲击,恐怕会导致玻璃缺口、破碎。本发明的半导体装置具有:与半导体芯片内的电路元件连接且形成于该半导体芯片上的侧面部附近的焊盘电极;形成于焊盘电极上的支承体;形成于半导体芯片的侧面部和背面部的绝缘膜;与焊盘电极的背面连接、从半导体芯片的侧面部向背面部延伸而与绝缘膜相接的配线层;形成于支承体的侧面部的第二保护膜。根据本发明,由于覆盖支承体的侧面部而形成保护膜,故可以防止来自外部的物理性冲击直接施加于支承体。
公开/授权文献
- CN101355058A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2009-01-28
IPC分类: