公开(公告)号：CN101290934B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN101290934A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN1822505B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200610071110.2

申请日：2006-02-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内山久嘉 ,  若井太志

IPC: H03L7/00

CPC classification number: H03L7/0998 ,  H03K3/0322 ,  H03K5/13 ,  H03K2005/00052 ,  H03L7/0995 ,  H03L7/10

Abstract: 在用差动放大电路进行振荡频率控制的电流控制型振荡器中，起因于差动放大电路输出特性的直线区域的倾斜和幅度，会产生相位噪声特性劣化和振荡频率控制的闭锁。在构成振荡频率控制电路的差动放大电路差动对的各电流路径插入电阻，使差动对的输出电流Ia、Ib直线区域的倾斜缓和。通过把施加在该差动对的一个晶体管基极上的基准电压设定得低，使直线区域向低电压侧移动，不产生低电压侧的饱和区域。在把电流控制型振荡电路的输出信号和基准信号的相位的比较结果变换成振荡频率控制电压Vtune时，用稳压器的输出代替电路共同的正电压电源Vcc来限制Vtune的上限电压，Vtune不从直线区域往上侧饱和区域移动。

公开(公告)号：CN1822505A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610071110.2

申请日：2006-02-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内山久嘉 ,  若井太志

IPC: H03L7/00

CPC classification number: H03L7/0998 ,  H03K3/0322 ,  H03K5/13 ,  H03K2005/00052 ,  H03L7/0995 ,  H03L7/10

Abstract: 在用差动放大电路进行振荡频率控制的电流控制型振荡器中，起因于差动放大电路输出特性的直线区域的倾斜和幅度，会产生相位噪声特性劣化和振荡频率控制的闭锁。在构成振荡频率控制电路的差动放大电路差动对的各电流路径插入电阻，使差动对的输出电流Ia、Ib直线区域的倾斜缓和。通过把施加在该差动对的一个晶体管基极上的基准电压设定得低，使直线区域向低电压侧移动，不产生低电压侧的饱和区域。在把电流控制型振荡电路的输出信号和基准信号的相位的比较结果变换成振荡频率控制电压Vtune时，用稳压器的输出代替电路共同的正电压电源Vcc来限制Vtune的上限电压，Vtune不从直线区域往上侧饱和区域移动。