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公开(公告)号：CN101174572B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710197182.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN100466243C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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公开(公告)号：CN1881573A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092671.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：经由绝缘膜2、3形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；形成在上述焊盘电极(4)的表面上的镀敷层(7)；形成在上述镀敷层(7)的表面上并与上述焊盘电极电连接的导电端子(9)；覆盖上述绝缘膜(2、3)之上和上述焊盘电极(4)的侧端部而形成的第一钝化膜(5)。通过覆盖上述第一钝化膜(5)之上和上述镀敷层(7)和上述导电端子(9)的侧壁的一部分而形成第二钝化膜(10)，覆盖造成腐蚀的焊盘电极(4)的露出部(8)。
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公开(公告)号：CN1941340A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881572A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610091292.X
申请日：2006-06-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。
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公开(公告)号：CN100527401C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610091292.X
申请日：2006-06-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。
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公开(公告)号：CN1581428A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056261.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN101174572A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710197182.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号：CN100367451C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410056261.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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