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公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN100524725C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610004202.9
申请日：2006-01-28
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L27/14636 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/1434 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
摘要： 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC分类号： H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN1591789A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410006626.X
申请日：2004-02-25
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/482 , H01L23/49827 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要： 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。
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公开(公告)号：CN1983612B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
摘要： 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN100355036C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410006626.X
申请日：2004-02-25
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/482 , H01L23/49827 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要： 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。
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公开(公告)号：CN1983612A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
摘要： 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN101083241A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC分类号： H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN101038926A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN1828883A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004202.9
申请日：2006-01-28
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L27/14636 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/1434 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
摘要： 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。
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