公开(公告)号：CN100456428C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510106862.3

申请日：2005-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  山田紘士 ,  饭田正则

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。

公开(公告)号：CN101295686B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN100501986C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710128252.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  冈田和央 ,  山田纮士 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。

公开(公告)号：CN100502022C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610166970.4

申请日：2006-12-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  北川胜彦 ,  野间崇 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  石部真三 ,  森田佑一 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。

公开(公告)号：CN101295686A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN101170090A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710166886.7

申请日：2007-10-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  野间崇 ,  窱木裕之 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  冈田和央 ,  山田纮士

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。

公开(公告)号：CN1316576C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410089652.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央 ,  森智典 ,  土桥博之 ,  铃木弘之 ,  本多孝好 ,  谷口敏光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极(3)的侧面部形成衬垫(6)时，将绝缘膜(5)的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底(1)的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。

公开(公告)号：CN100546021C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200710166886.7

申请日：2007-10-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  野间崇 ,  窱木裕之 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  冈田和央 ,  山田纮士

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。

公开(公告)号：CN101083241A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710128252.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  冈田和央 ,  山田纮士 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。

公开(公告)号：CN101038926A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610166970.4

申请日：2006-12-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  北川胜彦 ,  野间崇 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  石部真三 ,  森田佑一 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。