公开(公告)号：CN1316576C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410089652.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央 ,  森智典 ,  土桥博之 ,  铃木弘之 ,  本多孝好 ,  谷口敏光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极(3)的侧面部形成衬垫(6)时，将绝缘膜(5)的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底(1)的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。

公开(公告)号：CN1612308A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089652.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央 ,  森智典 ,  土桥博之 ,  铃木弘之 ,  本多孝好 ,  谷口敏光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极3的侧面部形成衬垫6时，将绝缘膜5的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底1的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。