公开(公告)号：CN1316576C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410089652.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央 ,  森智典 ,  土桥博之 ,  铃木弘之 ,  本多孝好 ,  谷口敏光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极(3)的侧面部形成衬垫(6)时，将绝缘膜(5)的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底(1)的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。

公开(公告)号：CN1612307A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089651.9

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在形成具有LDD结构，且具有采用金属硅化物形成的硅化物层的晶体管时，不产生硅衬底消减或碳污染。在硅衬底1上形成栅极绝缘膜2，在栅极电极3上形成和栅极绝缘膜2的材料相同种类的绝缘膜4。然后，形成第一绝缘膜6和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜6是和所述栅极绝缘膜2及所述栅极电极3上的绝缘膜4的材料不同的绝缘膜，第二绝缘膜是和栅极绝缘膜2及栅极电极3上的绝缘膜4的材料相同的绝缘膜。然后，使用干蚀刻形成由第二绝缘膜构成的衬垫8，然后，使用湿蚀刻形成LDD结构，形成用于形成硅化物层的开口部。其结果是，可不产生硅衬底的消减或碳污染而制造具有LDD结构或金属硅化物层的晶体管。

公开(公告)号：CN1519915A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001883.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  五嶋一智 ,  谷口敏光 ,  大谷敏晴

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L28/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2+离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。

公开(公告)号：CN1315178C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410001883.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  五嶋一智 ,  谷口敏光 ,  大谷敏晴

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L28/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2+离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。

公开(公告)号：CN1612308A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089652.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  冈田和央 ,  森智典 ,  土桥博之 ,  铃木弘之 ,  本多孝好 ,  谷口敏光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极3的侧面部形成衬垫6时，将绝缘膜5的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底1的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。