公开(公告)号：CN1315178C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410001883.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  五嶋一智 ,  谷口敏光 ,  大谷敏晴

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L28/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2+离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。

公开(公告)号：CN1519915A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001883.4

申请日：2004-01-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 饭塚胜彦 ,  五嶋一智 ,  谷口敏光 ,  大谷敏晴

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L28/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2+离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。