公开(公告)号：CN1260794C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200310114840.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木薰 ,  今井宪次 ,  蓧木裕之 ,  野间崇 ,  和久井元明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。

公开(公告)号：CN1501462A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114840.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木薰 ,  今井宪次 ,  蓧木裕之 ,  野间崇 ,  和久井元明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。