公开(公告)号：CN1260794C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200310114840.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木薰 ,  今井宪次 ,  蓧木裕之 ,  野间崇 ,  和久井元明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。

公开(公告)号：CN1501462A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114840.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木薰 ,  今井宪次 ,  蓧木裕之 ,  野间崇 ,  和久井元明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。

公开(公告)号：CN1287429C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410044785.9

申请日：2004-05-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐佐木薰 ,  山本佳司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。

公开(公告)号：CN1685515A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100107.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈田吉弘 ,  大乡尚彦 ,  佐佐木薰

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。其中该装置包括：把固体摄像元件的至少一部分遮光的遮光膜(418)；与遮光膜(418)形成在同一层中，一端与焊盘电极(322)连接，并且另一端延伸到半导体基板(300)的侧边的第一布线(407)；绕过半导体基板(300)的侧面而配置，与第一布线(407)连接的第二布线(414)；密封固体摄像元件的密封部件(324)。由此，可更容易地制造具有内部布线的半导体集成装置，且不会损害元件的特性。

公开(公告)号：CN1574236A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410044785.9

申请日：2004-05-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐佐木薰 ,  山本佳司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。

公开(公告)号：CN100373626C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200380100107.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈田吉弘 ,  大乡尚彦 ,  佐佐木薰

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。其中该装置包括：把固体摄像元件的至少一部分遮光的遮光膜(418)；与遮光膜(418)形成在同一层中，一端与焊盘电极(322)连接，并且另一端延伸到半导体基板(300)的侧边的第一布线(407)；绕过半导体基板(300)的侧面而配置，与第一布线(407)连接的第二布线(414)；密封固体摄像元件的密封部件(324)。由此，可更容易地制造具有内部布线的半导体集成装置，且不会损害元件的特性。