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公开(公告)号：CN101236982A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810008514.6
申请日：2008-01-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 一种摄像装置，其包括：电荷增加部，其用于使电荷增加；第一电极，其用于施加将与电荷增加部相邻的区域调整为规定电位的电压；第二电极，其被设置成与第一电极相邻，用于施加在电荷增加部使电荷增加的电压；第一布线，其形成在规定的层，并且用于向第一电极供给信号；和第二布线，其形成在与规定的层不同的层，并且用于向第二电极供给信号。
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公开(公告)号：CN100466248C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN1610125A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410086198.6
申请日：2004-10-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种在基板与滤色片层之间设置透镜的结构中，能够小型化的固体摄像装置。该固体摄像装置，包括：形成在基板上的光接受部，形成在基板上的滤色片层，形成在基板与滤色片层之间、将光聚光到光接受部上用的透镜。此外，透镜在其上具有凸形的上面部的同时，上面部的上端部实质上与滤色片层的下面接触。
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公开(公告)号：CN1595654A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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公开(公告)号：CN101414618A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810176979.2
申请日：2008-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种摄像装置和传感器装置。该摄像装置，构成为在信号电荷的转送动作时以及增加动作时，控制为与第3电极相对应的转送通道的电位和与第4电极相对应的转送通道的电位中的至少一个电位比与第1电极和第2电极相对应的转送通道的电位低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100380670C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410086198.6
申请日：2004-10-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种在基板与滤色片层之间设置透镜的结构中，能够小型化的固体摄像装置。该固体摄像装置，包括：形成在基板上的光接受部，形成在基板上的滤色片层，形成在基板与滤色片层之间、将光聚光到光接受部上用的透镜。此外，透镜在其上具有凸形的上面部的同时，上面部的上端部实质上与滤色片层的下面接触。
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公开(公告)号：CN1601743A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN100481470C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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公开(公告)号：CN101118917A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710137140.3
申请日：2007-07-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其包括：第一电极，其用于产生蓄积信号电荷的电场；电荷增加部，其用于增加蓄积的信号电荷；第二电极，其用于使电荷增加部产生电场；电压变换部，其用于将信号电荷变换为电压；和第三电极，其设置于第一电极和电压变换部之间，用于向电压变换部传送信号电荷，第二电极相对于第一电极而被设置于第三电极以及电压变换部的相反侧。
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公开(公告)号：CN1667832A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510054141.2
申请日：2005-03-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14806 , H01L27/1485 , H04N5/335 , H04N5/372
Abstract: 固体摄像装置，具备：进行光电变换的光电变换部；对由光电变换部产生的信号电荷进行转送的转送部。转送部包含：由多晶硅等构成的转送电极；覆盖于转送电极的底面、上面和两侧面，且由比介电率比氧化硅高的氮化硅膜等材料构成的覆盖绝缘膜。覆盖转送电极的两侧面的氮化硅膜的膜厚，大于0nm，小于60nm。
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