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公开(公告)号：CN100380670C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410086198.6
申请日：2004-10-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种在基板与滤色片层之间设置透镜的结构中，能够小型化的固体摄像装置。该固体摄像装置，包括：形成在基板上的光接受部，形成在基板上的滤色片层，形成在基板与滤色片层之间、将光聚光到光接受部上用的透镜。此外，透镜在其上具有凸形的上面部的同时，上面部的上端部实质上与滤色片层的下面接触。
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公开(公告)号：CN1532941A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410007981.9
申请日：2004-03-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L21/8232 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14812
Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置，通过缩小邻接的栅电极之间的间隔而提高电荷的传送效率，在获得噪声较小的信号的同时，通过降低寄生电容可以降低耗电量。这种固态成像装置具有：形成于栅极绝缘膜上的、实质上具有平坦上面的第1栅电极；通过厚度小于光刻极限最小尺寸的绝缘膜，而在栅极绝缘膜上形成的第2栅电极，它与第1栅电极邻接而非重叠。
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公开(公告)号：CN1519918A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410002851.6
申请日：2004-01-17
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冲川满
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/3114 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L27/148 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/2919 , H01L2224/83136 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。课题是提供降低热应力同时防止特性的劣化的半导体集成装置。可以用包括已形成有半导体集成电路的半导体芯片，和已粘接到半导体芯片的至少一面上的支持基体(14)，半导体芯片和支持基体(14)用已混合进粒状的填充剂的树脂(40)进行粘接，树脂(40)的最小膜厚比填充剂的最大粒径还大的半导体集成装置解决上述课题。
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公开(公告)号：CN1610125A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410086198.6
申请日：2004-10-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种在基板与滤色片层之间设置透镜的结构中，能够小型化的固体摄像装置。该固体摄像装置，包括：形成在基板上的光接受部，形成在基板上的滤色片层，形成在基板与滤色片层之间、将光聚光到光接受部上用的透镜。此外，透镜在其上具有凸形的上面部的同时，上面部的上端部实质上与滤色片层的下面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1595654A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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公开(公告)号：CN1591791A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071658.8
申请日：2004-07-21
IPC: H01L21/3065 , H01L21/461
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/31116 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14806
Abstract: 本发明提供一种抑制界面状态产生的等离子体处理方法，尤其抑制由于界面状态的降低而导致固体摄像元件的暗电流的增加。利用等离子体CVD法在硅基板(1)上形成由氮化硅膜(10)构成的层间绝缘膜(10)，并且在这个层间绝缘膜(10)上，有选择地形成光致抗蚀剂层PR。利用加热处理使得光致抗蚀剂层PR的形状变圆。接着，将该光致抗蚀剂层PR作为掩膜，将碳氟化合物类气体作为蚀刻气体使用，对层间绝缘膜(10)进行等离子体蚀刻处理，从而形成微透镜(11)。为了抑制由在该等离子体蚀刻中产生的紫外线的影响而造成的硅—氧化硅膜界面的界面状态的增加，采用间歇地供给高频电力的脉冲时间调制等离子体法。
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公开(公告)号：CN1484318A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03154047.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。
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公开(公告)号：CN100481470C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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公开(公告)号：CN100375286C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03154047.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。
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