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公开(公告)号：CN1728888A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510088131.0
申请日：2005-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种提高了灵敏度与强度的声敏元件。硅基板(52)中贯通设置有音孔。薄膜电极(16)通过至少1个固定端(32)安装在硅基板(52)的上侧的表面上，将硅基板(52)的音孔覆盖起来。薄膜电极(16)在互相垂直的直径方向具有4处突出部分。4处突出部分的一处中设有固定端(32)，此外的3处形成有铰链轴(34)。背板电极(14)设置在薄膜电极(16)的上方，形成电容。
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公开(公告)号：CN101785175A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104247.0
申请日：2008-10-03
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02N1/06
CPC classification number: H02N1/08
Abstract: 本发明提供一种发电装置，该发电装置(100)包括：在一个表面设置有第一电极(3)的第一基板(2b、2c)；包括以与第一基板的一个表面侧的第一电极相对的方式配置的第二电极(6)的第二基板(1a)；和在第一基板的一个表面侧或者另一个表面侧中的至少一方设置的滑动机构(10、11、12、13和14)，其中，滑动机构构成为，抑制第一基板在第一方向(Z方向)上移动，并且以使第一基板能够在第二方向(X方向)上相对于第二基板相对移动的方式保持第一基板。
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公开(公告)号：CN1315190C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN03143451.7
申请日：2003-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76807 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法，在把形成在下层内连线(1)上的层间电介质薄膜(4)腐蚀成具有小孔的形状之后，利用蚀刻停止层(5)，把上层电介质薄膜(6)腐蚀成具有沟槽的形状。通过附加的腐蚀除去暴露在沟槽底部的蚀刻停止层(5)，然后，把暴露在沟槽底部的层间电介质薄膜(4)向回蚀刻到预定的厚度。接着，用内连金属(10)填塞该小孔和沟槽。
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公开(公告)号：CN1505139A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03143451.7
申请日：2003-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76807 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法，在把形成在下层内连线1上的层间电介质薄膜4腐蚀成具有小孔的形状之后，利用腐蚀抑制层5，把上层电介质薄膜6腐蚀成具有沟槽的形状。通过附加的腐蚀除去暴露在沟槽底部的腐蚀抑制层5，然后，把暴露在沟槽底部的层间电介质薄膜4向后腐蚀到预定的厚度。接着，用内连金属10填塞该小孔和沟槽。
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公开(公告)号：CN101529712A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040492.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02N1/00
CPC classification number: H02N1/006
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。
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公开(公告)号：CN100375286C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03154047.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。
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公开(公告)号：CN100356562C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410083479.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76807 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。
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公开(公告)号：CN1320645C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN02156135.4
申请日：2002-12-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 得到能够边减少相邻的第1布线层间的电容、边抑制起因于来自第1绝缘膜的水分放出而使导电性插头电阻值升高、断路故障等情况的半导体器件。这种半导体器件具备在半导体基片上隔开规定的间隔形成的多个第1布线层，埋入多个第1布线层、且具有到达第1布线层的开口部的第1绝缘膜，以及填入第1绝缘膜的开口部内、且与第1布线层接触的导电性插头。在第1绝缘膜的第1布线层与导电性插头的接触面附近的第1区域，通过选择性地注入杂质对第1绝缘膜的第1区域进行有选择地改性。
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公开(公告)号：CN1612336A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410083479.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76807 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。
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