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公开(公告)号：CN100375286C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03154047.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。
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公开(公告)号：CN1722461A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084695.7
申请日：2005-07-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/737
Abstract: 本发明提供一种设置有具有窄的基极结合部分的发射极层的半导体装置。半导体装置，包含设于半导体基板上的集电极层。导电层设于集电极层上，具有基极层功能。硅膜设于导电层上。发射极电极设于硅膜上。第1膜覆盖发射极电极的侧面。硅膜包含：与发射极电极接触，具有发射极层功能的第1区域；和，与此第1区域不同的第2区域。第1区域和发射极电极的接触面，位于比第1膜的下面的水平面靠上的水平面。硅膜的第2区域的至少一部分，位于导电层和第1膜之间，导电层与第1膜相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101304030A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810142807.3
申请日：2008-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 小出辰彦
IPC: H01L27/04 , H01L29/73 , H01L21/8222 , H01L21/331 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/732 , H01L29/0821 , H01L29/66287
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其具有：在半导体衬底的主表面上设置的第一绝缘分离膜；围绕第一绝缘分离膜的有源区域；设置在半导体衬底的主表面上、比第一绝缘分离膜厚度小并将有源区域分离为第一有源区域和第二有源区域的第二绝缘分离膜。
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公开(公告)号：CN1971859A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610144613.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/331
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括在包含活性区的半导体衬底上形成导电层和硅膜，在活性区上的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极，用发射极电极作为掩模部分地蚀刻硅膜，形成覆盖半导体衬底的绝缘膜和覆盖发射极电极侧面的侧壁膜，在导电层和硅膜中引入第二杂质，使第二杂质到达入活性区，形成在导电层和硅膜中的部分中的含第二杂质的杂质区，以及将发射极电极中所含第一杂质扩散到硅膜中，在硅膜中形成含第一杂质的第一区和不含第一杂质的第二区。
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公开(公告)号：CN1790736A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119957.9
申请日：2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73
Abstract: 本发明提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层(2)，其形成在半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在集电极层之上；硅膜(5)，其形成在导电层(4)之上；发射极电极(7a)，其形成在硅膜(5)之上；侧面膜(9)，其覆盖发射极电极(7a)的侧面，所述发射极电极(7a)的底面高于侧面膜的下表面，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于导电层(4)与侧面膜(9)之间；杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成；和硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、导电层(4)的所述侧面和杂质区域(10)的所述表面形成。
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公开(公告)号：CN1497683A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03127221.5
申请日：2003-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 小出辰彦
IPC: H01L21/31 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基片上装有多孔MSQ薄膜14，并在多孔MSQ薄膜14的顶部形成非多孔HSQ薄膜17。共同使用含有Si，O和C的相同的薄膜材料形成多孔MSQ薄膜14和非多孔MSQ薄膜17。
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公开(公告)号：CN1484318A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03154047.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。
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