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公开(公告)号：CN1971859A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610144613.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/331
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括在包含活性区的半导体衬底上形成导电层和硅膜，在活性区上的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极，用发射极电极作为掩模部分地蚀刻硅膜，形成覆盖半导体衬底的绝缘膜和覆盖发射极电极侧面的侧壁膜，在导电层和硅膜中引入第二杂质，使第二杂质到达入活性区，形成在导电层和硅膜中的部分中的含第二杂质的杂质区，以及将发射极电极中所含第一杂质扩散到硅膜中，在硅膜中形成含第一杂质的第一区和不含第一杂质的第二区。
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公开(公告)号：CN1790736A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119957.9
申请日：2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73
Abstract: 本发明提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层(2)，其形成在半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在集电极层之上；硅膜(5)，其形成在导电层(4)之上；发射极电极(7a)，其形成在硅膜(5)之上；侧面膜(9)，其覆盖发射极电极(7a)的侧面，所述发射极电极(7a)的底面高于侧面膜的下表面，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于导电层(4)与侧面膜(9)之间；杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成；和硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、导电层(4)的所述侧面和杂质区域(10)的所述表面形成。
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公开(公告)号：CN1162896C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN00103734.X
申请日：2000-03-03
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/8234 , H01L29/665
Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法，包括：把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区；进行高温热处理来激活杂质区；在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法，通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷，并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而，可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。
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公开(公告)号：CN1409407A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02143204.X
申请日：2002-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/24
Abstract: 本发明是可以将电阻元件等的薄膜电阻值容易地设定为任意值的半导体装置。所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值。这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。
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公开(公告)号：CN101257045A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080661.4
申请日：2008-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/1004 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜、不在元件分离膜的倾斜部上形成而在平坦部上形成的保护膜、自被元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨保护膜上形成的外部基极层。
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公开(公告)号：CN101257043A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080662.9
申请日：2008-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 井原良和
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种高性能化的半导体装置及其制造方法，可不设置高精度的曝光装置而制造。该半导体装置具备：在第一导电型集电极层上形成的导电层；在导电层上形成的第一导电型的发射极电极；沿发射极电极与导电层的界面自发射极电极的外侧向内侧突出的突出部。另外，导电层具有经由突出部与发射极电极相接的第一导电型的发射极扩散层和第二导电型的基极层。
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公开(公告)号：CN1848453A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510121782.5
申请日：2005-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 井原良和
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
Abstract: 一种半导体装置，其具备：被设置在所述半导体基板上的元件分离膜；被包围在所述元件分离膜中的、发挥作为集电极层的作用的有源区域；被设置在所述有源区域上的、含有合金层的导电层；被设置在所述导电层上的发射极层；被设置在所述发射极层上的发射极电极；覆盖所述发射极电极的侧面的第一膜；与所述导电层相邻接的p+扩散层；和在所述有源区域中，在第1合金层和所述元件分离膜之间中的杂质区域。p+扩散层和合金层之间扩展的边界位于杂质区域之上。
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公开(公告)号：CN104350604A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201280073594.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/0512 , H01L31/0547 , H01L31/056 , Y02E10/52 , H01L31/022425 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池组件(10)包括：具有基板的光电转换部(11)；配置在光电转换部(11)上的集电极(12)、(13)；配置在集电极(12)上的粘接层(14)、(16)；和通过粘接层(14)、(16)与集电极(12)、(13)连接的配线件(15)、(17)。集电极(12)、(13)形成为，在集电极(12)、(13)的长度方向上集电极(12)、(13)的端部的厚度比中央部厚，粘接层(14)、(16)形成为，在集电极(12)、(13)的长度方向上，与集电极(12)、(13)的中央部对应的部分的厚度比与集电极(12)、(13)的端部对应的部分的厚度厚。
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公开(公告)号：CN1266280A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN00103734.X
申请日：2000-03-03
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/8234 , H01L29/665
Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法,包括:把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区;进行高温热处理来激活杂质区;在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法,通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷,并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而,可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。
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公开(公告)号：CN1307726C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02143204.X
申请日：2002-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/24
Abstract: 本发明是可以将电阻元件等的薄膜电阻值容易地设定为任意值的半导体装置。所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值。这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。
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