公开(公告)号：CN1707792A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076155.4

申请日：2005-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  西田笃弘

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体模块及其制造方法，将绝缘树脂膜热压接并埋入半导体元件及无源元件中，形成配线后，压接具有元件间绝缘膜的凹部或具有贯通部的层积膜，在凹部内部埋入元件构成部件的材料，由此形成高电阻部件和高介电系数部件，形成电阻器和电容器。进而，形成上层绝缘树脂膜之后，形成具有卡尔多型聚合物的光致抗焊剂层，进行配线形成、焊锡电极形成。

公开(公告)号：CN1266280A

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法,包括:把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区;进行高温热处理来激活杂质区;在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法,通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷,并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而,可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。

公开(公告)号：CN1307726C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02143204.X

申请日：2002-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井原良和 ,  西田笃弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明是可以将电阻元件等的薄膜电阻值容易地设定为任意值的半导体装置。所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值。这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。

公开(公告)号：CN100394599C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510076155.4

申请日：2005-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  西田笃弘

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体模块及其制造方法，将绝缘树脂膜热压接并埋入半导体元件及无源元件中，形成配线后，压接具有元件间绝缘膜的凹部或具有贯通部的层积膜，在凹部内部埋入元件构成部件的材料，由此形成高电阻部件和高介电系数部件，形成电阻器和电容器。进而，形成上层绝缘树脂膜之后，形成具有卡尔多型聚合物的光致抗焊剂层，进行配线形成、焊锡电极形成。

公开(公告)号：CN1162896C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法，包括：把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区；进行高温热处理来激活杂质区；在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法，通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷，并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而，可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。

公开(公告)号：CN1409407A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143204.X

申请日：2002-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井原良和 ,  西田笃弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明是可以将电阻元件等的薄膜电阻值容易地设定为任意值的半导体装置。所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值。这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。