公开(公告)号：CN101154638B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200710137183.1

申请日：2007-07-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长松正幸 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、便携式设备及半导体模块的制造方法，该半导体模块能抑制由于散热部引起可靠性的恶化，而且，提高散热性。该半导体模块具有：半导体基板(1)，其表面(S)上形成有电路元件(2)的电极(2a)；再配线图形(4)，其为了进一步拓宽电极(2a)的间距而与电极(2a)连接；电极(4a)，其与该再配线图形(4)形成为一体；绝缘层(7)，其形成在半导体基板(1)的背面(R)；散热部(8)，其形成在该绝缘层7上；突起部(8a)，其与该散热部(8)设置在一起，贯通绝缘层(7)与半导体基板(1)的背面(R)连接。

公开(公告)号：CN101312169B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200810142810.5

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔，在电极上形成绝缘层，并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此，绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面，布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此，与突起区域中的再布线图案相比，布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。

公开(公告)号：CN101331604B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200680045139.1

申请日：2006-11-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置及电路装置的制造方法，以把突起结构埋入绝缘树脂的方式来层叠配线层、绝缘树脂和电路元件，提高突起结构与电路元件的电极的连接可靠性。电路装置(10)具备把配线层(20)、绝缘树脂层(30)和电路元件(40)按该顺序压接层叠的结构。配线层(20)在与电路元件(40)的各元件电极(42)对应的位置处设置有突起电极(22)。绝缘树脂层(30)由加压时引起塑性流动的材料形成。突起电极(22)贯通绝缘树脂层(30)而与对应的元件电极(42)电连接。

公开(公告)号：CN101286463A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810082319.8

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  水原秀树

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子气氛下进行反向溅射的第三工序。

公开(公告)号：CN1716580A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081398.7

申请日：2005-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  中村岳史 ,  井上恭典 ,  臼井良辅 ,  水原秀树

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H05K3/46 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0733 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，具有提高散热性的结构的多层配线。本发明的电路装置(10)具有介由第一绝缘层(17A)层积的第一配线层(18A)及第二配线层(18B)。第一配线层(18A)和第二配线层(18B)通过贯通第一绝缘层(17A)形成的连接部(25)在所希望的位置连接。连接部(25)由从第一配线层(18A)向厚度方向突出的第一连接部(25A)和从第二配线层(18B)向厚度方向突出的第二连接部(25B)构成。而且，第一连接部(25A)和第二连接部(25B)在第一绝缘层(17A)的厚度方向，在其中间部接触。

公开(公告)号：CN1591795A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057191.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 奥田道则 ,  市桥由成 ,  山冈义和 ,  井上恭典 ,  田中友子

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Si、O和C的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和/或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有C4F6的蚀刻气体，和不含C4F6的蚀刻气体依次进行蚀刻。和/或将下述式(1)定义的蚀刻气体中的碳含有率做成为5％以下。p＝X×(Qc/Q)×100…(1)；其中，X表示氟代烃CXFY中的碳组成比；Q表示蚀刻气体的全流量；Qc表示氟代烃CXFY的流量。

公开(公告)号：CN102027591B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200980117207.4

申请日：2009-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  中里真弓 ,  伊藤克实

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，在CSP型半导体模块的制造方法中，提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序：将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序，其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12)；切割半导体晶片(1)的工序；拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序；隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接，使电极与元件电极(12)电连接的压接工序；选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层，并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序；切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。

公开(公告)号：CN101499443B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810191051.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小林初 ,  柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件安装用基板具有由绝缘性树脂形成的绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接并且从配线层向与绝缘树脂层相反的一侧突出而用于支承低熔点金属球的突起部。配线层以及突起部一体形成。

公开(公告)号：CN102254874A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110189450.6

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。该种半导体模块，包括：在主表面具有与内部的半导体元件电连接的第一电极的基板，在所述基板上设置的绝缘层，在所述绝缘层上设置的布线层，与所述布线层一体地设置并且贯通所述绝缘层而与所述第一电极连接的第一导体部，以及从所述布线层向所述绝缘层内突出的第二导体部。

公开(公告)号：CN101419949B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200810212821.6

申请日：2005-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/538 ,  H01L27/01 ,  H01L21/48 ,  H01L21/84 ,  H05K1/18 ,  H05K1/05 ,  H05K3/46 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。