公开(公告)号：CN101540299B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910134693.2

申请日：2009-02-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小林初 ,  柳瀬康行 ,  山本哲也 ,  冈山芳央

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件搭载用基板具有：绝缘树脂层、设置在绝缘树脂层的一个主表面的配线层、以及与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。在包含突起电极的中心轴的截面看，突起电极的侧面向中心轴方向弯曲，并且侧面的曲率半径从配线层侧端部到前端侧端部连续地变化。

公开(公告)号：CN102377105A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110226624.1

申请日：2011-08-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 林伸彦 ,  吉川秀树 ,  藏本庆一 ,  后藤壮谦 ,  冈山芳央 ,  德永诚一

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02204 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光装置。该半导体激光装置具备：由多个部件构成且内部具有密封空间的封装体和配置在密封空间内的半导体激光元件，部件的位于密封空间内的表面由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆剂覆盖。

公开(公告)号：CN101312169B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200810142810.5

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔，在电极上形成绝缘层，并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此，绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面，布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此，与突起区域中的再布线图案相比，布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。

公开(公告)号：CN101877349A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010155369.1

申请日：2010-04-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  铃木敦顺 ,  冈山芳央

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种半导体模块及便携式设备。第一电路元件及第二电路元件均使电极形成面面向布线层的一个面安装。在布线层的一个面上一体地形成的第一突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第一电路元件的元件电极的镀金层和设置在第一突起电极的顶部的镀金层。另外，在布线层的一个面上一体地形成的第二突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层及第二绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第二电路元件的元件电极的镀金层和设置在第二突起电极的顶部的镀金层。

公开(公告)号：CN102870209A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180019475.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。

公开(公告)号：CN101877349B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010155369.1

申请日：2010-04-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  铃木敦顺 ,  冈山芳央

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种半导体模块及便携式设备。第一电路元件及第二电路元件均使电极形成面面向布线层的一个面安装。在布线层的一个面上一体地形成的第一突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第一电路元件的元件电极的镀金层和设置在第一突起电极的顶部的镀金层。另外，在布线层的一个面上一体地形成的第二突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层及第二绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第二电路元件的元件电极的镀金层和设置在第二突起电极的顶部的镀金层。

公开(公告)号：CN101540299A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910134693.2

申请日：2009-02-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小林初 ,  柳瀬康行 ,  山本哲也 ,  冈山芳央

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件搭载用基板具有：绝缘树脂层、设置在绝缘树脂层的一个主表面的配线层、以及与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。在包含突起电极的中心轴的截面看，突起电极的侧面向中心轴方向弯曲，并且侧面的曲率半径从配线层侧端部到前端侧端部连续地变化。

公开(公告)号：CN101303990A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127747.8

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/561 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块的制造方法、半导体模块及便携设备，所述制造方法可以提高在使铜板的突起结构和半导体元件的电极为相向的状态下进行连接时的定位精度的同时，谋求降低半导体模块的制造成本。准备在表面设置半导体元件的电极和图案部的半导体基板。形成具有第一主面及其相反侧的第二主面，并且包括设置在第一主面的突起部和设置在第二主面的沟部的铜板。通过调整铜板的位置使图案部和与其对应的沟部具有规定位置关系来进行突起部和电极的定位，然后经绝缘层压接铜板的第一主面侧和半导体基板，在突起部贯通绝缘层的状态下电连接突起部和电极。在第二主面侧形成规定图案的再布线图案。

公开(公告)号：CN100429963C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610054752.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/482 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，谋求提高半导体装置及其制造方法的可靠性。本发明的半导体装置，其特征在于：具有通过第1绝缘层(2)在半导体基板(1)上形成的焊盘电极(3)、和以从上述半导体基板(1)的背面到达上述焊盘电极3表面的方式形成的通孔(8)，上述通孔(8)，由以接近上述焊盘电极(3)部分的开口径比接近上述半导体基板1背面部分宽的方式形成的第1开口部分(7A)，和与上述第1开口部分(7A)连接，并以接近上述焊盘电极(3)表面部分的开口径比接近上述半导体基板(1)的表面部分窄的方式在上述第1绝缘层(2)上形成的第2开口部分(7B)构成。

公开(公告)号：CN100382304C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。