公开(公告)号：CN102598250A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048211.2

申请日：2010-10-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  清水敏哉

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/38 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/114 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/1152 ,  Y10T156/1039 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板及其制造方法、半导体组件以及便携设备。元件搭载用基板(100)具备：绝缘树脂层(10)；设置于绝缘树脂层(10)的一方主表面的布线层(20)；覆盖绝缘树脂层(10)和布线层(20)的保护层(40)；突起电极(30)，被设置成与布线层(20)电连接、并从布线层(20)向绝缘树脂层(10)侧突出、且贯通绝缘树脂层(10)；布线层侧凸部(52)，被设置成从布线层(20)向绝缘树脂层(10)侧突出、且其前端位于绝缘树脂层(10)的内部；树脂层侧凸部(54)，被设置成从保护层(40)向绝缘树脂层(10)侧突出、且其前端位于绝缘树脂层(10)的内部。

公开(公告)号：CN102714188A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006151.2

申请日：2011-01-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  齐藤浩一

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2201 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种CSP型的半导体模块的制造方法，提高了半导体模块的生产效率。半导体模块的制造方法包含：将形成有多个具有元件电极（12）的半导体元件（10）的半导体晶片（1）粘接在第一绝缘树脂层（20）上的工序；切断半导体晶片（1）使其单个化成多个半导体元件（10）的工序；纵横延伸拉伸第一绝缘树脂层（20），扩展邻接的半导体元件（10）的间隔的工序；将多个半导体元件（10）经由第二绝缘树脂层固定于平板上，除去第一绝缘树脂层（20）的工序；将多个半导体元件（10）、第三绝缘树脂层、铜板按顺序进行层叠，形成具有用于将元件电极（12）和铜板电连接的电极的层叠体的工序；选择性除去铜板形成配线层，从而形成多个半导体模块的工序；使半导体模块单个化的工序。

公开(公告)号：CN102665997A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180003586.1

申请日：2011-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  冈山芳央

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K20/023 ,  B23K2103/12 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83895

Abstract: 本发明提供一种金属接合方法，在覆盖第一基体材料部(12)(铜)的第一覆膜部(14)(氧化铜)和覆盖第二基体材料部(22)(铜)的第二覆膜部(24)(氧化铜)之间，填充第一覆膜部(14)的氧化铜及第二覆膜部(24)的氧化铜熔析的溶液(30)，使构成第一覆膜部(14)及第二覆膜部(24)的氧化铜在溶液(30)中熔析。通过使用冲压机以提高溶液(30)压力的方式对第一被接合部(10)和第二被接合部(20)一边加压一边在200℃～300℃较低温度条件下加热，来去除溶液(30)中铜以外的成分并使铜析出，通过析出的铜接合第一基体材料部(12)和第二基体材料部(22)。

公开(公告)号：CN102870209A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180019475.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。