公开(公告)号：CN1162896C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法，包括：把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区；进行高温热处理来激活杂质区；在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法，通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷，并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而，可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。

公开(公告)号：CN1266280A

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法,包括:把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区;进行高温热处理来激活杂质区;在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法,通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷,并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而,可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。