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公开(公告)号：CN101257045A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080661.4
申请日：2008-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/1004 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜、不在元件分离膜的倾斜部上形成而在平坦部上形成的保护膜、自被元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨保护膜上形成的外部基极层。
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