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公开(公告)号：CN101529712B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780040492.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02N1/00
CPC classification number: H02N1/006
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。
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公开(公告)号：CN102457017A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110319247.6
申请日：2011-10-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 村山佳树
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件和光学装置。该氮化物类半导体激光元件具备由具有出射侧谐振器面和反射侧谐振器面的氮化物类半导体构成的半导体元件层以及形成于出射侧谐振器面的端面涂膜。端面涂膜具有与出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于第1电介质膜的出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于第2电介质膜的第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于第3电介质膜的第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于第4电介质膜的第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。
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公开(公告)号：CN1822211B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610009230.X
申请日：2006-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/004
Abstract: 本发明提供一种存储器。该存储器具备：连接在位线上，并保持数据的存储器单元；和基极连接在位线上的双极晶体管。而且，在数据的读出时，由双极晶体管来放大出现在位线上的与存储器单元的数据对应的电流，以读出数据。因此，能够抑制数据判断精度的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822211A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009230.X
申请日：2006-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/004
Abstract: 本发明提供一种存储器。该存储器具备：连接在位线上，并保持数据的存储器单元；和基极连接在位线上的双极晶体管。而且，在数据的读出时，由双极晶体管来放大出现在位线上的与存储器单元的数据对应的电流，以读出数据。因此，能够抑制数据判断精度的降低。
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公开(公告)号：CN101884148B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980101177.8
申请日：2009-02-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063
Abstract: 一种能够提高激光元件的可靠性的半导体激光元件。上述半导体激光元件(1000)具备：具有发光层(25)的半导体元件层(20)；在半导体元件层的包含发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面(1)；在第一共振器端面上，从第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜(41)、含有第一氧化膜(42)的第一中间膜和第二氮化膜(43)而成的第一绝缘膜(40)；在第一绝缘膜上形成的含有第二氧化膜(51)的第二绝缘膜(51)。
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公开(公告)号：CN101884148A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101177.8
申请日：2009-02-09
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063
Abstract: 一种能够提高激光元件的可靠性的半导体激光元件。上述半导体激光元件(1000)具备：具有发光层(25)的半导体元件层(20)；在半导体元件层的包含发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面(1)；在第一共振器端面上，从第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜(41)、含有第一氧化膜(42)的第一中间膜和第二氮化膜(43)而成的第一绝缘膜(40)；在第一绝缘膜上形成的含有第二氧化膜(51)的第二绝缘膜(51)。
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公开(公告)号：CN101529712A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040492.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02N1/00
CPC classification number: H02N1/006
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。
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