公开(公告)号：CN101529712A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040492.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  宍田佳谦 ,  松原直辉 ,  村山佳树

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。

公开(公告)号：CN101529712B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780040492.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  宍田佳谦 ,  松原直辉 ,  村山佳树

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。

公开(公告)号：CN1924533A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610125743.7

申请日：2006-08-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松原直辉 ,  成濑阳子

IPC: G01L9/12 ,  G01N29/00

Abstract: 本发明提供一种能够通过抑制电极板的振动来增大输出的电信号的传感器装置。该传感器装置包括：振动膜，其设置为可振动；电极板，其设置为与振动膜相隔规定的距离而对置，并具有孔部；和支承体，其由具有比构成电极板的材料的弹性模量更高的弹性模量的材料构成，支承电极板。而且支承体形成为至少覆盖电极板的上面、下面及孔部的侧面的任意两个面。

公开(公告)号：CN100356562C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410083479.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  松原直辉 ,  藤田和范

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。

公开(公告)号：CN1612336A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410083479.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  松原直辉 ,  藤田和范

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。