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公开(公告)号：CN105849869A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。
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公开(公告)号：CN105378896A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480039222.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 尼可拉斯·PT·贝特曼 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01L21/265
Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。
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公开(公告)号：CN103314427A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004865.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 具本雄 , 安东尼·雷诺
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J37/32935 , H01J49/04 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种用于监控具有离子能量且入射到衬底上的离子物种的角分布的飞行时间（TOF）离子感测器系统，其包括漂移管，其中离子感测器系统经配置以改变漂移管相对于衬底的平面的角度。漂移管具有第一端，所述第一端经配置以从离子物种接收离子脉冲，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子以封包形式到达漂移管的第二端。离子检测器可设置在离子感测器的第二端处，其中离子检测器经配置以检测来源于离子脉冲且对应于各自不同离子质量的离子封包。
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公开(公告)号：CN109906496B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201780067863.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN109906496A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067863.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供用于通过将端板及射频天线定位在所选轴向位置处来动态地修改离子源室中的等离子体体积的方式。在一种方式中，一种离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710423A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038035.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 , 提摩太·J·米勒 , 查理斯·T·卡尔森 , 具本雄
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H05B1/02
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种处理太阳能电池的方法，其中在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。
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公开(公告)号：CN104285273B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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公开(公告)号：CN104813435B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380060603.4
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。
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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN101601118A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780051063.8
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 史帝文·R·沃特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 贾斯汀·托可 , 玄盛焕 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 阿塔尔·古普塔 , 维克拉姆·辛 , 戴文·洛吉
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。
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