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公开(公告)号：CN105264633B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与用于控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN107548514A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201680024013.X
申请日：2016-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·M·葛梅尔 , 摩根·D·艾文斯 , 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 诺曼·E·赫西 , 葛列格里·R·吉本雷洛
IPC: H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/317 , C23C14/48 , C23C14/54
Abstract: 一种装置包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；以及扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。
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公开(公告)号：CN105264633A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN102257607A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151713.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 乔治·M·葛梅尔 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种离子均匀性监控装置，被定位在等离子体制程室内且包括多个感测器，这些感测器位于等离子体制程室内的工件上方一段距离之处。这些感测器经配置以侦测从暴露于等离子体制程的工件的表面发射出来的二次电子的数量。每个感测器输出与侦测到的二次电子成正比的电流信号。一电流比较电路输出由多个电流信号的每个电流信号而得出的处理后的信号。等离子体处理过程中侦测到从工件上发射出来的二次电子显示出工件表面的均匀性特征，且二次电子的侦测可在线上等离子体处理过程中原位执行。
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公开(公告)号：CN105264634B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104813435B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380060603.4
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。
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公开(公告)号：CN105264634A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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公开(公告)号：CN111263972B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880068880.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种监测离子束的装置、控制离子束的装置及方法。所述监测离子束的装置可包括：处理器；以及耦合到所述处理器的存储单元，所述存储单元包括显示例程，其中显示例程能够在处理器上运行以管理对离子束的监测。显示例程可包括测量处理器以接收离子束的多个点束轮廓，所述点束轮廓是在离子束的快速扫描及与快速扫描同时实施的探测器的慢速机械扫描期间收集的。快速扫描可包括沿快速扫描方向以10Hz或大于10Hz的频率进行的多个扫描循环，且慢速机械扫描是在与快速扫描方向平行的方向上执行的。测量处理器还可发送显示信号以显示从所述多个点束轮廓导出的至少一组信息。
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公开(公告)号：CN111263972A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068880.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种监测离子束的装置。所述装置可包括：处理器；以及耦合到所述处理器的存储单元，所述存储单元包括显示例程，其中显示例程能够在处理器上运行以管理对离子束的监测。显示例程可包括测量处理器以接收离子束的多个点束轮廓，所述点束轮廓是在离子束的快速扫描及与快速扫描同时实施的探测器的慢速机械扫描期间收集的。快速扫描可包括沿快速扫描方向以10Hz或大于10Hz的频率进行的多个扫描循环，且慢速机械扫描是在与快速扫描方向平行的方向上执行的。测量处理器还可发送显示信号以显示从所述多个点束轮廓导出的至少一组信息。
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公开(公告)号：CN107548514B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201680024013.X
申请日：2016-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·M·葛梅尔 , 摩根·D·艾文斯 , 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 诺曼·E·赫西 , 葛列格里·R·吉本雷洛
IPC: H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/317 , C23C14/48 , C23C14/54
Abstract: 揭示一种控制植入工艺的装置及一种离子植入机。所述控制植入工艺的装置包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；以及扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。
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