公开(公告)号：CN104813435B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380060603.4

申请日：2013-09-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威廉·T·理威 ,  乔治·M·葛梅尔 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/048 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535 ,  H01L2224/81913

Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。

公开(公告)号：CN104813435A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380060603.4

申请日：2013-09-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威廉·T·理威 ,  乔治·M·葛梅尔 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/248 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/048 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/241 ,  H01J37/243 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/24535 ,  H01L2224/81913

Abstract: 描述一种在离子布植机中减少故障率的方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。