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公开(公告)号：CN113097048A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110355098.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN113097048B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110355098.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN109906496B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201780067863.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN109906496A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067863.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供用于通过将端板及射频天线定位在所选轴向位置处来动态地修改离子源室中的等离子体体积的方式。在一种方式中，一种离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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